半导体装置及半导体装置的制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010264074.1
申请日
2020-04-07
公开(公告)号
CN111816633B
公开(公告)日
2024-06-11
发明(设计)人
益本宽之
申请人
三菱电机株式会社
申请人地址
日本东京
IPC主分类号
H01L23/49
IPC分类号
H01L23/492 H01L23/488 H01L21/60
代理机构
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112
代理人
何立波;张天舒
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体装置及半导体装置的制造方法 [P]. 
益本宽之 .
中国专利 :CN111816633A ,2020-10-23
[2]
半导体装置及半导体装置的制造方法 [P]. 
高桥圣一 .
日本专利 :CN119480831A ,2025-02-18
[3]
半导体装置及半导体装置的制造方法 [P]. 
山口义弘 ;
大宅大介 .
中国专利 :CN114391176A ,2022-04-22
[4]
半导体装置及半导体装置的制造方法 [P]. 
刘宇增 ;
荒谷修三 .
日本专利 :CN119790497A ,2025-04-08
[5]
半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P]. 
小林浩 ;
曾田真之介 ;
大本洋平 ;
林功明 .
中国专利 :CN107004653A ,2017-08-01
[6]
半导体装置及半导体装置的制造方法 [P]. 
前田笃志 ;
川濑达也 ;
井本裕儿 .
中国专利 :CN114556534A ,2022-05-27
[7]
半导体装置及半导体装置的制造方法 [P]. 
日向裕一朗 .
中国专利 :CN107204321B ,2017-09-26
[8]
半导体装置及半导体装置的制造方法 [P]. 
后藤亮 ;
大月高实 ;
清水康贵 ;
富冈真吾 .
中国专利 :CN113257801A ,2021-08-13
[9]
半导体装置及半导体装置的制造方法 [P]. 
前田笃志 ;
川濑达也 ;
井本裕儿 .
日本专利 :CN114556534B ,2025-05-06
[10]
半导体装置及半导体装置的制造方法 [P]. 
中原贤太 .
日本专利 :CN118541796A ,2024-08-23