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半导体装置及半导体装置的制造方法
被引：0
申请号：
CN201980100046.1
申请日：
2019-09-11
公开(公告)号：
CN114391176A
公开(公告)日：
2022-04-22
发明(设计)人：
山口义弘
大宅大介
申请人：
申请人地址：
日本东京
IPC主分类号：
H01L2158
IPC分类号：
H01L2152
H01L2348
代理机构：
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112
代理人：
何立波;张天舒
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2022-04-22 | 公开 | 公开 |
| 2022-05-10 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/58 申请日:20190911 |