具有混合氧化物钝化层的磁性传感器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980048500.3

申请日：

2019-06-19

公开(公告)号：

CN112469997A

公开(公告)日：

2021-03-09

发明(设计)人：

王善祥塞巴斯蒂安·J·奥斯特菲尔德

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

G01N2772

IPC分类号：

G01N2774 G01N33543

代理机构：

北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363

代理人：

王建国;李琳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-09	公开	公开
2021-07-06	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 27/72 申请日:20190619

共 50 条

[1]

氮的氧化物的传感器 [P].

国元晃 ;

岩永铁 ;

长谷井政治 ;

黑泽秀行 ;

中野内幸雄 .

中国专利 :CN1186238A ,1998-07-01

[2]

氮氧化物氨气传感器 [P].

陈烈 ;

汤忠华 ;

潘登 ;

滕卫星 .

中国专利 :CN109709193A ,2019-05-03

[3]

氮氧化物氨气传感器 [P].

陈烈 ;

汤忠华 ;

潘登 ;

滕卫星 .

中国专利 :CN209784252U ,2019-12-13

[4]

金属氧化物纳米层的制备方法、金属氧化物纳米叠层结构及传感器 [P].

郭登极 ;

杨彦东 ;

廖健翔 ;

刘聪 ;

钟伟威 ;

肖惠 ;

顾鸿玮 ;

许佼 ;

王序进 .

中国专利 :CN118957550A ,2024-11-15

[5]

用于检测氮的氧化物的金属氧化物传感器 [P].

M·K·费伯 ;

谢玉明 .

中国专利 :CN1285914A ,2001-02-28

[6]

金属氧化物气体传感器 [P].

左国民 ;

高适 ;

张顺平 ;

王学峰 ;

李丹萍 ;

张立功 ;

王宁 ;

周建梅 ;

鲁胜利 .

中国专利 :CN208109742U ,2018-11-16

[7]

金属氧化物pH传感器 [P].

M.陈 ;

M.韦普萨莱宁 .

中国专利 :CN106605142B ,2017-04-26

[8]

氮氧化物传感器芯片 [P].

冯涛 ;

潘莉莉 ;

沈准 ;

王广平 ;

王红勤 ;

王贵强 .

中国专利 :CN107748195A ,2018-03-02

[9]

氧化铝掺杂的金属氧化物气体传感器 [P].

桑吉布·特里帕蒂 ;

沃尔弗拉姆·西门丁格 .

中国专利 :CN111656172A ,2020-09-11

[10]

金属氧化物半导体传感器和使用原子层沉积形成金属氧化物半导体传感器的方法 [P].

A.K.萨马劳 ;

G.奥布里恩 ;

A.法伊 ;

F.普克尔 ;

G.雅马 .

中国专利 :CN105900236A ,2016-08-24

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