用于检测氮的氧化物的金属氧化物传感器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN98812845.4

申请日：

1998-12-01

公开(公告)号：

CN1285914A

公开(公告)日：

2001-02-28

发明(设计)人：

M·K·费伯谢玉明

申请人：

申请人地址：

美国纽约州

IPC主分类号：

G01N2712

IPC分类号：

代理机构：

上海专利商标事务所

代理人：

白益华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2001-02-28	公开	公开
2001-10-10	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回

共 50 条

[1]

氮的氧化物的传感器 [P].

国元晃 ;

岩永铁 ;

长谷井政治 ;

黑泽秀行 ;

中野内幸雄 .

中国专利 :CN1186238A ,1998-07-01

[2]

金属氧化物半导体气体传感器 [P].

张克栋 ;

顾唯兵 ;

王玲 ;

崔铮 .

中国专利 :CN204389426U ,2015-06-10

[3]

金属氧化物半导体图像传感器 [P].

孙涛 ;

汪辉 ;

陈杰 ;

方娜 ;

田犁 .

中国专利 :CN102523393B ,2012-06-27

[4]

金属氧化物半导体气体传感器 [P].

孟小华 .

中国专利 :CN215768361U ,2022-02-08

[5]

金属氧化物半导体气体传感器 [P].

石仓友和 ;

藤田一孝 ;

政冈雷太郎 .

日本专利 :CN120239817A ,2025-07-01

[6]

金属氧化物半导体气体传感器 [P].

石仓友和 ;

藤田一孝 ;

政冈雷太郎 .

日本专利 :CN120359411A ,2025-07-22

[7]

金属氧化物半导体传感器和使用原子层沉积形成金属氧化物半导体传感器的方法 [P].

A.K.萨马劳 ;

G.奥布里恩 ;

A.法伊 ;

F.普克尔 ;

G.雅马 .

中国专利 :CN105900236A ,2016-08-24

[8]

金属氧化物传感器的光退火 [P].

克劳迪奥·朱里安尼 .

中国专利 :CN113840805A ,2021-12-24

[9]

金属氧化物气体传感器 [P].

左国民 ;

高适 ;

张顺平 ;

王学峰 ;

李丹萍 ;

张立功 ;

王宁 ;

周建梅 ;

鲁胜利 .

中国专利 :CN208109742U ,2018-11-16

[10]

金属氧化物pH传感器 [P].

M.陈 ;

M.韦普萨莱宁 .

中国专利 :CN106605142B ,2017-04-26

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