金属氧化物半导体图像传感器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110457475.X

申请日：

2011-12-30

公开(公告)号：

CN102523393B

公开(公告)日：

2012-06-27

发明(设计)人：

孙涛汪辉陈杰方娜田犁

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区海科路99号

IPC主分类号：

H04N5374

IPC分类号：

H04N53745 H04N5378

代理机构：

上海一平知识产权代理有限公司 31266

代理人：

成春荣;竺云

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-02-26	授权	授权
2012-06-27	公开	公开
2012-09-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101320541276 IPC(主分类):H04N 5/374 专利申请号:201110457475X 申请日:20111230
2013-10-23	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101666688115 IPC(主分类):H04N 5/374 专利申请号:201110457475X 变更事项:申请人变更前权利人:上海中科高等研究院变更后权利人:中国科学院上海高等研究院变更事项:地址变更前权利人:201210 上海市浦东新区海科路99号变更后权利人:201203 上海市浦东新区海科路99号登记生效日:20130924
2020-08-04	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H04N 5/374 登记生效日:20200715 变更事项:专利权人变更前权利人:中国科学院上海高等研究院变更后权利人:河北苏格医疗科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区海科路99号变更后权利人:050000 河北省石家庄市高新区珠江大道313号方亿科技园A区2号楼5层01厂房

共 50 条

[1]

金属氧化物半导体气体传感器 [P].

孟小华 .

中国专利 :CN215768361U ,2022-02-08

[2]

金属氧化物半导体气体传感器 [P].

石仓友和 ;

藤田一孝 ;

政冈雷太郎 .

日本专利 :CN120239817A ,2025-07-01

[3]

金属氧化物半导体气体传感器 [P].

张克栋 ;

顾唯兵 ;

王玲 ;

崔铮 .

中国专利 :CN204389426U ,2015-06-10

[4]

金属氧化物半导体气体传感器 [P].

石仓友和 ;

藤田一孝 ;

政冈雷太郎 .

日本专利 :CN120359411A ,2025-07-22

[5]

CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器CIS [P].

赵亦平 ;

叶尚府 ;

张秦豪 ;

李其霖 ;

周国煜 ;

黄乔逸 .

中国专利 :CN107222693A ,2017-09-29

[6]

互补式金属氧化物半导体图像传感器 [P].

高境鸿 .

中国专利 :CN100550404C ,2008-06-18

[7]

一种互补金属氧化物半导体CMOS图像传感器 [P].

金泰逵 .

中国专利 :CN110944128B ,2020-03-31

[8]

互补金属氧化物半导体图像传感器 [P].

李潇 .

中国专利 :CN204946902U ,2016-01-06

[9]

互补金属氧化物半导体图像传感器 [P].

李仑政 .

中国专利 :CN100563015C ,2007-06-06

[10]

互补金属氧化物半导体图像传感器 [P].

朴英桓 ;

朴钟银 ;

安正查 ;

李相柱 ;

张荣洽 .

中国专利 :CN102883118A ,2013-01-16

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