金属氧化物半导体气体传感器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380085650.8

申请日：

2023-11-01

公开(公告)号：

CN120359411A

公开(公告)日：

2025-07-22

发明(设计)人：

石仓友和藤田一孝政冈雷太郎

申请人：

TDK株式会社

申请人地址：

日本

IPC主分类号：

G01N27/12

IPC分类号：

代理机构：

北京尚诚知识产权代理有限公司 11322

代理人：

杨琦;丁哲音

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-22	公开	公开
2025-08-08	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G01N 27/12申请日:20231101

共 50 条

[1]

金属氧化物半导体气体传感器 [P].

石仓友和 ;

藤田一孝 ;

政冈雷太郎 .

日本专利 :CN120239817A ,2025-07-01

[2]

金属氧化物半导体气体传感器 [P].

孟小华 .

中国专利 :CN215768361U ,2022-02-08

[3]

金属氧化物半导体气体传感器 [P].

张克栋 ;

顾唯兵 ;

王玲 ;

崔铮 .

中国专利 :CN204389426U ,2015-06-10

[4]

金属氧化物半导体气体传感器及其制备方法 [P].

张克栋 ;

顾唯兵 ;

王玲 ;

崔铮 .

中国专利 :CN104569061B ,2015-04-29

[5]

金属氧化物半导体图像传感器 [P].

孙涛 ;

汪辉 ;

陈杰 ;

方娜 ;

田犁 .

中国专利 :CN102523393B ,2012-06-27

[6]

一种金属氧化物半导体传感器 [P].

熊友辉 ;

杨宇 ;

宫梦涛 ;

张勇强 .

中国专利 :CN120201663A ,2025-06-24

[7]

可集成的非晶态金属氧化物半导体气体传感器 [P].

殷华湘 ;

陈大鹏 .

中国专利 :CN102778479B ,2012-11-14

[8]

金属氧化物半导体多孔薄膜及其制备方法与气体传感器 [P].

李文华 ;

徐强 .

中国专利 :CN115201281B ,2025-07-18

[9]

金属氧化物半导体传感器和使用原子层沉积形成金属氧化物半导体传感器的方法 [P].

A.K.萨马劳 ;

G.奥布里恩 ;

A.法伊 ;

F.普克尔 ;

G.雅马 .

中国专利 :CN105900236A ,2016-08-24

[10]

金属氧化物半导体纳米薄膜气体传感器用微加热板 [P].

殷晨波 ;

张子立 ;

陶春旻 ;

朱斌 ;

董宁宁 .

中国专利 :CN102070118A ,2011-05-25

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