金属氧化物半导体气体传感器

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202122014103.1

申请日：

2021-08-25

公开(公告)号：

CN215768361U

公开(公告)日：

2022-02-08

发明(设计)人：

孟小华

申请人：

申请人地址：

712000 陕西省咸阳市文林路咸阳师范学院

IPC主分类号：

G01N2700

IPC分类号：

代理机构：

西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223

代理人：

崔瑞迎

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-02-08	授权	授权

共 50 条

[1]

金属氧化物半导体气体传感器 [P].

石仓友和 ;

藤田一孝 ;

政冈雷太郎 .

日本专利 :CN120239817A ,2025-07-01

[2]

金属氧化物半导体气体传感器 [P].

张克栋 ;

顾唯兵 ;

王玲 ;

崔铮 .

中国专利 :CN204389426U ,2015-06-10

[3]

金属氧化物半导体气体传感器 [P].

石仓友和 ;

藤田一孝 ;

政冈雷太郎 .

日本专利 :CN120359411A ,2025-07-22

[4]

金属氧化物半导体气体传感器及其制备方法 [P].

张克栋 ;

顾唯兵 ;

王玲 ;

崔铮 .

中国专利 :CN104569061B ,2015-04-29

[5]

金属氧化物半导体图像传感器 [P].

孙涛 ;

汪辉 ;

陈杰 ;

方娜 ;

田犁 .

中国专利 :CN102523393B ,2012-06-27

[6]

一种金属氧化物半导体传感器 [P].

熊友辉 ;

杨宇 ;

宫梦涛 ;

张勇强 .

中国专利 :CN120201663A ,2025-06-24

[7]

可集成的非晶态金属氧化物半导体气体传感器 [P].

殷华湘 ;

陈大鹏 .

中国专利 :CN102778479B ,2012-11-14

[8]

金属氧化物半导体多孔薄膜及其制备方法与气体传感器 [P].

李文华 ;

徐强 .

中国专利 :CN115201281B ,2025-07-18

[9]

金属氧化物半导体传感器和使用原子层沉积形成金属氧化物半导体传感器的方法 [P].

A.K.萨马劳 ;

G.奥布里恩 ;

A.法伊 ;

F.普克尔 ;

G.雅马 .

中国专利 :CN105900236A ,2016-08-24

[10]

金属氧化物半导体纳米薄膜气体传感器用微加热板 [P].

殷晨波 ;

张子立 ;

陶春旻 ;

朱斌 ;

董宁宁 .

中国专利 :CN102070118A ,2011-05-25

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