金属氧化物半导体气体传感器

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201520055141.3

申请日：

2015-01-26

公开(公告)号：

CN204389426U

公开(公告)日：

2015-06-10

发明(设计)人：

张克栋顾唯兵王玲崔铮

申请人：

申请人地址：

215123 江苏省苏州市工业园区星湖街218号生物纳米园A4楼104室

IPC主分类号：

G01N2700

IPC分类号：

代理机构：

苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235

代理人：

杨林洁

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-06-10	授权	授权

共 50 条

[1]

金属氧化物半导体气体传感器及其制备方法 [P].

张克栋 ;

顾唯兵 ;

王玲 ;

崔铮 .

中国专利 :CN104569061B ,2015-04-29

[2]

金属氧化物半导体气体传感器 [P].

孟小华 .

中国专利 :CN215768361U ,2022-02-08

[3]

金属氧化物半导体气体传感器 [P].

石仓友和 ;

藤田一孝 ;

政冈雷太郎 .

日本专利 :CN120239817A ,2025-07-01

[4]

金属氧化物半导体气体传感器 [P].

石仓友和 ;

藤田一孝 ;

政冈雷太郎 .

日本专利 :CN120359411A ,2025-07-22

[5]

可集成的非晶态金属氧化物半导体气体传感器 [P].

殷华湘 ;

陈大鹏 .

中国专利 :CN102778479B ,2012-11-14

[6]

金属氧化物半导体图像传感器 [P].

孙涛 ;

汪辉 ;

陈杰 ;

方娜 ;

田犁 .

中国专利 :CN102523393B ,2012-06-27

[7]

金属氧化物半导体纳米薄膜气体传感器用微加热板 [P].

殷晨波 ;

张子立 ;

陶春旻 ;

朱斌 ;

董宁宁 .

中国专利 :CN102070118A ,2011-05-25

[8]

一种金属氧化物半导体传感器 [P].

熊友辉 ;

杨宇 ;

宫梦涛 ;

张勇强 .

中国专利 :CN120201663A ,2025-06-24

[9]

一种金属氧化物半导体气体传感器及其制作方法 [P].

雷鸣 ;

饶吉磊 ;

贺方杰 .

中国专利 :CN108362740A ,2018-08-03

[10]

金属氧化物半导体多孔薄膜及其制备方法与气体传感器 [P].

李文华 ;

徐强 .

中国专利 :CN115201281B ,2025-07-18

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