金属氧化物半导体多孔薄膜及其制备方法与气体传感器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210830902.2

申请日：

2022-07-15

公开(公告)号：

CN115201281B

公开(公告)日：

2025-07-18

发明(设计)人：

李文华徐强

申请人：

南方科技大学

申请人地址：

518055 广东省深圳市南山区桃源街道学苑大道1088号

IPC主分类号：

G01N27/12

IPC分类号：

代理机构：

深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268

代理人：

刘芙蓉;孙果

法律状态：

授权

国省代码：

山东省青岛市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-18	授权	授权

共 50 条

[1]

金属氧化物半导体气体传感器及其制备方法 [P].

张克栋 ;

顾唯兵 ;

王玲 ;

崔铮 .

中国专利 :CN104569061B ,2015-04-29

[2]

金属氧化物半导体气体传感器 [P].

孟小华 .

中国专利 :CN215768361U ,2022-02-08

[3]

金属氧化物半导体气体传感器 [P].

石仓友和 ;

藤田一孝 ;

政冈雷太郎 .

日本专利 :CN120239817A ,2025-07-01

[4]

金属氧化物半导体气体传感器 [P].

张克栋 ;

顾唯兵 ;

王玲 ;

崔铮 .

中国专利 :CN204389426U ,2015-06-10

[5]

金属氧化物半导体气体传感器 [P].

石仓友和 ;

藤田一孝 ;

政冈雷太郎 .

日本专利 :CN120359411A ,2025-07-22

[6]

金属氧化物半导体传感器及其制备方法 [P].

王帅毅 .

中国专利 :CN112768600A ,2021-05-07

[7]

金属氧化物半导体传感器及其制备方法 [P].

王帅毅 .

中国专利 :CN112768600B ,2024-05-03

[8]

金属氧化物半导体纳米薄膜气体传感器用微加热板 [P].

殷晨波 ;

张子立 ;

陶春旻 ;

朱斌 ;

董宁宁 .

中国专利 :CN102070118A ,2011-05-25

[9]

一种金属氧化物半导体气体传感器及其制备方法和应用 [P].

仝召民 ;

舒宏伟 ;

牛峰 .

中国专利 :CN114354724A ,2022-04-15

[10]

一种MEMS金属氧化物半导体气体传感器及其制造方法 [P].

雷鸣 .

中国专利 :CN105158297A ,2015-12-16

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