金属氧化物半导体传感器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011616172.3

申请日：

2020-12-30

公开(公告)号：

CN112768600A

公开(公告)日：

2021-05-07

发明(设计)人：

王帅毅

申请人：

申请人地址：

610200 四川省成都市双流区公兴街道青栏路1778号

IPC主分类号：

H01L4122

IPC分类号：

H01L4139 H01L41113 H01L4118 H01L3118 H01L31032 H01L31113

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

朱颖;黄健

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-07	公开	公开
2021-05-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 41/22 申请日:20201230

共 50 条

[1]

金属氧化物半导体传感器及其制备方法 [P].

王帅毅 .

中国专利 :CN112768600B ,2024-05-03

[2]

金属氧化物半导体气体传感器及其制备方法 [P].

张克栋 ;

顾唯兵 ;

王玲 ;

崔铮 .

中国专利 :CN104569061B ,2015-04-29

[3]

金属氧化物半导体气体传感器 [P].

孟小华 .

中国专利 :CN215768361U ,2022-02-08

[4]

金属氧化物半导体气体传感器 [P].

石仓友和 ;

藤田一孝 ;

政冈雷太郎 .

日本专利 :CN120239817A ,2025-07-01

[5]

金属氧化物半导体图像传感器 [P].

孙涛 ;

汪辉 ;

陈杰 ;

方娜 ;

田犁 .

中国专利 :CN102523393B ,2012-06-27

[6]

金属氧化物半导体气体传感器 [P].

张克栋 ;

顾唯兵 ;

王玲 ;

崔铮 .

中国专利 :CN204389426U ,2015-06-10

[7]

金属氧化物半导体气体传感器 [P].

石仓友和 ;

藤田一孝 ;

政冈雷太郎 .

日本专利 :CN120359411A ,2025-07-22

[8]

一种金属氧化物半导体传感器 [P].

熊友辉 ;

杨宇 ;

宫梦涛 ;

张勇强 .

中国专利 :CN120201663A ,2025-06-24

[9]

金属氧化物半导体传感器和使用原子层沉积形成金属氧化物半导体传感器的方法 [P].

A.K.萨马劳 ;

G.奥布里恩 ;

A.法伊 ;

F.普克尔 ;

G.雅马 .

中国专利 :CN105900236A ,2016-08-24

[10]

金属氧化物半导体多孔薄膜及其制备方法与气体传感器 [P].

李文华 ;

徐强 .

中国专利 :CN115201281B ,2025-07-18

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