一种MEMS金属氧化物半导体气体传感器及其制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN201510626311.3
申请日
2015-09-24
公开(公告)号
CN105158297A
公开(公告)日
2015-12-16
发明(设计)人
雷鸣
申请人
申请人地址
430079 湖北省武汉市东湖新技术开发区武大科技园兴业楼南一单元401
IPC主分类号
G01N2700
IPC分类号
代理机构
代理人
法律状态
专利申请权、专利权的转移
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共 50 条
[1]
金属氧化物半导体气体传感器 [P]. 
孟小华 .
中国专利 :CN215768361U ,2022-02-08
[2]
金属氧化物半导体气体传感器 [P]. 
石仓友和 ;
藤田一孝 ;
政冈雷太郎 .
日本专利 :CN120239817A ,2025-07-01
[3]
金属氧化物半导体气体传感器 [P]. 
张克栋 ;
顾唯兵 ;
王玲 ;
崔铮 .
中国专利 :CN204389426U ,2015-06-10
[4]
金属氧化物半导体气体传感器 [P]. 
石仓友和 ;
藤田一孝 ;
政冈雷太郎 .
日本专利 :CN120359411A ,2025-07-22
[5]
金属氧化物半导体气体传感器及其制备方法 [P]. 
张克栋 ;
顾唯兵 ;
王玲 ;
崔铮 .
中国专利 :CN104569061B ,2015-04-29
[6]
一种金属氧化物半导体气体传感器及其制作方法 [P]. 
雷鸣 ;
饶吉磊 ;
贺方杰 .
中国专利 :CN108362740A ,2018-08-03
[7]
一种金属氧化物半导体传感器 [P]. 
熊友辉 ;
杨宇 ;
宫梦涛 ;
张勇强 .
中国专利 :CN120201663A ,2025-06-24
[8]
一种MEMS金属氧化物半导体气体传感器低功耗工作方法 [P]. 
雷鸣 .
中国专利 :CN106770500A ,2017-05-31
[9]
一种金属氧化物半导体气体传感器及其制备方法和应用 [P]. 
仝召民 ;
舒宏伟 ;
牛峰 .
中国专利 :CN114354724A ,2022-04-15
[10]
金属氧化物半导体多孔薄膜及其制备方法与气体传感器 [P]. 
李文华 ;
徐强 .
中国专利 :CN115201281B ,2025-07-18