金属氧化物传感器的光退火

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202080036148.4

申请日：

2020-05-06

公开(公告)号：

CN113840805A

公开(公告)日：

2021-12-24

发明(设计)人：

克劳迪奥·朱里安尼

申请人：

申请人地址：

荷兰埃因霍温

IPC主分类号：

C01G1902

IPC分类号：

B01J1912

代理机构：

北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413

代理人：

邱俊霞;王春伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-01-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01G 19/02 申请日:20200506
2021-12-24	公开	公开

共 50 条

[1]

用于检测氮的氧化物的金属氧化物传感器 [P].

M·K·费伯 ;

谢玉明 .

中国专利 :CN1285914A ,2001-02-28

[2]

金属氧化物气体传感器 [P].

左国民 ;

高适 ;

张顺平 ;

王学峰 ;

李丹萍 ;

张立功 ;

王宁 ;

周建梅 ;

鲁胜利 .

中国专利 :CN208109742U ,2018-11-16

[3]

金属氧化物pH传感器 [P].

M.陈 ;

M.韦普萨莱宁 .

中国专利 :CN106605142B ,2017-04-26

[4]

金属氧化物传感器阵列响应漂移的补偿方法 [P].

陈建军 ;

陈小娟 .

中国专利 :CN106093134A ,2016-11-09

[5]

一种金属氧化物及其制备方法、气体传感器 [P].

钱立军 ;

张宸维 .

中国专利 :CN118877838A ,2024-11-01

[6]

一种金属氧化物及其制备方法、气体传感器 [P].

钱立军 ;

张宸维 .

中国专利 :CN118877838B ,2024-12-13

[7]

金属氧化物半导体气体传感器 [P].

张克栋 ;

顾唯兵 ;

王玲 ;

崔铮 .

中国专利 :CN204389426U ,2015-06-10

[8]

金属氧化物半导体图像传感器 [P].

孙涛 ;

汪辉 ;

陈杰 ;

方娜 ;

田犁 .

中国专利 :CN102523393B ,2012-06-27

[9]

金属氧化物半导体气体传感器 [P].

孟小华 .

中国专利 :CN215768361U ,2022-02-08

[10]

金属氧化物半导体气体传感器 [P].

石仓友和 ;

藤田一孝 ;

政冈雷太郎 .

日本专利 :CN120239817A ,2025-07-01

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