Mo微纳米线/CuZnAl记忆合金复合材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310251810.X

申请日：

2013-06-24

公开(公告)号：

CN103320724B

公开(公告)日：

2013-09-25

发明(设计)人：

杨峰倪丁瑞马宗义崔立山

申请人：

申请人地址：

102249 北京市昌平区府学路18号

IPC主分类号：

C22C4700

IPC分类号：

C22C4900 C22C11102

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

姚亮

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-07-13	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C22C 47/00 申请日:20130624 授权公告日:20150304 终止日期:20170624
2015-03-04	授权	授权
2013-09-25	公开	公开
2013-10-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101533525334 IPC(主分类):C22C 47/00 专利申请号:201310251810X 申请日:20130624

共 50 条

[1]

一种记忆合金基纳米层状复合材料及其制备方法 [P].

毛圣成 ;

蔡吉祥 ;

韩晓东 ;

张泽 .

中国专利 :CN109706415A ,2019-05-03

[2]

铜纳米线-聚合物复合材料及其制备方法 [P].

张国平 ;

黄汪平 ;

孙蓉 .

中国专利 :CN107057261B ,2017-08-18

[3]

SiC纳米线增强铝基复合材料及其制备方法 [P].

杨文澍 ;

武高辉 ;

姜龙涛 .

中国专利 :CN106086726A ,2016-11-09

[4]

纳米复合材料及其制备方法 [P].

周建华 .

中国专利 :CN107226970A ,2017-10-03

[5]

纳米线与石墨烯的复合材料及其制备方法 [P].

狄增峰 ;

戴家赟 ;

叶林 ;

汪子文 ;

薛忠营 ;

张苗 .

中国专利 :CN105174268A ,2015-12-23

[6]

半导电涂层用MXene/铜纳米线复合材料及其制备方法 [P].

高寅 ;

王超 ;

高燃 ;

黄丹 ;

刘单华 ;

张宏生 ;

任民 ;

李双双 ;

嵇爱琼 ;

冯欣 ;

赵玉顺 ;

侯天奇 .

中国专利 :CN118412163A ,2024-07-30

[7]

微纳多孔铜锌铝形状记忆合金复合材料及其制备方法与应用 [P].

袁斌 ;

禹贤斌 ;

杨兵 ;

李永喜 ;

朱敏 .

中国专利 :CN106099086A ,2016-11-09

[8]

TiNiNb/NbTi记忆合金复合材料及其制备方法 [P].

姜大强 ;

崔立山 ;

郑雁军 ;

赵新青 ;

李岩 ;

蒋小华 .

中国专利 :CN101654753B ,2010-02-24

[9]

W/TiNi记忆合金复合材料及其制备方法 [P].

崔立山 ;

王珊 ;

姜江 ;

姜大强 ;

郭方敏 ;

李瑞士 ;

郑雁军 .

中国专利 :CN103131926A ,2013-06-05

[10]

纳米石墨片增强形状记忆复合材料及其制备方法 [P].

米绪军 ;

赵利民 ;

冯雪 ;

李艳锋 ;

解浩峰 .

中国专利 :CN103897337A ,2014-07-02

← 1 2 3 4 5 →