半导体结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611067425.X

申请日：

2016-11-28

公开(公告)号：

CN108122852B

公开(公告)日：

2018-06-05

发明(设计)人：

李勇

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L218244

IPC分类号：

H01L2711

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

高静;吴敏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-06-05	公开	公开
2019-11-01	授权	授权
2018-06-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8244 申请日:20161128

共 50 条

[1]

半导体结构及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN111293118A ,2020-06-16

[2]

半导体结构及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN112309845A ,2021-02-02

[3]

半导体结构及其形成方法 [P].

徐建华 ;

王安妮 ;

何* ;

杨小军 .

中国专利 :CN108155235A ,2018-06-12

[4]

半导体结构及其形成方法 [P].

张海洋 ;

王彦 ;

蒋鑫 .

中国专利 :CN108122760B ,2018-06-05

[5]

半导体结构及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN113838806A ,2021-12-24

[6]

半导体结构及其形成方法 [P].

徐建华 .

中国专利 :CN108074815B ,2018-05-25

[7]

半导体结构及其形成方法 [P].

汤飞 ;

陈选虎 ;

戴照青 .

中国专利 :CN119767774A ,2025-04-04

[8]

半导体结构及其形成方法 [P].

邓浩 ;

徐建华 .

中国专利 :CN109285879A ,2019-01-29

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN104952730B ,2015-09-30

[10]

半导体结构及其形成方法 [P].

张青淳 .

中国专利 :CN112635402B ,2024-08-30

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