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半导体结构及其形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201611100048.5
申请日：
2016-12-02
公开(公告)号：
CN108155235A
公开(公告)日：
2018-06-12
发明(设计)人：
徐建华
王安妮
何*
杨小军
申请人：
申请人地址：
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号：
H01L2978
IPC分类号：
H01L21336
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
高静;吴敏
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2018-07-06 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20161202 |
| 2020-12-25 | 授权 | 授权 |
| 2018-06-12 | 公开 | 公开 |