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半导体结构及其形成方法
被引：0
申请号：
CN202110287710.7
申请日：
2021-03-17
公开(公告)号：
CN115117057A
公开(公告)日：
2022-09-27
发明(设计)人：
田震
董耀旗
黄达
申请人：
申请人地址：
201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号
IPC主分类号：
H01L27092
IPC分类号：
H01L218238
代理机构：
上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327
代理人：
高静
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2022-09-27 | 公开 | 公开 |