半导体结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710437698.7

申请日：

2017-06-12

公开(公告)号：

CN109037306A

公开(公告)日：

2018-12-18

发明(设计)人：

张丽杰

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2910 H01L21336 H01L2978

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

徐文欣;吴敏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-12-18	公开	公开
2021-08-06	授权	授权
2019-01-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20170612

共 50 条

[1]

半导体结构及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN111293118A ,2020-06-16

[2]

半导体结构及其形成方法 [P].

徐建华 ;

王安妮 ;

何* ;

杨小军 .

中国专利 :CN108155235A ,2018-06-12

[3]

半导体结构及其形成方法 [P].

田震 ;

董耀旗 ;

黄达 .

中国专利 :CN115117057A ,2022-09-27

[4]

半导体结构及其形成方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN106328650A ,2017-01-11

[5]

半导体结构及其形成方法 [P].

亚历山德罗·C·卡勒格瑞 ;

范西·K·帕鲁丘瑞 ;

维杰·纳拉亚南 ;

萨菲·扎发 ;

迈克尔·A·格瑞贝尔尤克 .

中国专利 :CN1988171A ,2007-06-27

[6]

半导体结构及其形成方法 [P].

林静 ;

禹国宾 .

中国专利 :CN107180750A ,2017-09-19

[7]

半导体结构及其形成方法 [P].

徐建华 .

中国专利 :CN108074815B ,2018-05-25

[8]

半导体结构及其形成方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN110400746B ,2019-11-01

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN108122852B ,2018-06-05

[10]

半导体结构及其形成方法 [P].

邓浩 ;

徐建华 .

中国专利 :CN109285879A ,2019-01-29

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