基于吡嗪基吡咯并吡咯二酮的共轭聚合物的合成方法及其应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911104368.1

申请日：

2019-11-13

公开(公告)号：

CN110746584A

公开(公告)日：

2020-02-04

发明(设计)人：

雷霆严新稳熊苗李佳桐

申请人：

申请人地址：

100871 北京市海淀区颐和园路5号

IPC主分类号：

C08G6112

IPC分类号：

H01L5130 H01L5146 H01L5154

代理机构：

北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360

代理人：

李稚婷

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-02-04	公开	公开
2020-02-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C08G 61/12 申请日:20191113
2021-01-26	授权	授权

共 50 条

[1]

一类非对称噻吩硒吩吡咯并吡咯二酮共轭聚合物的合成方法及应用 [P].

倪振杰 ;

郑明轩 ;

丑亚杰 ;

王耀坤 .

中国专利 :CN120097988A ,2025-06-06

[2]

基于稠合二酮基吡咯并吡咯的聚合物 [P].

P·哈约兹 ;

M·格里兹波斯基 ;

D·T·格里科 ;

A·杰泽斯基 .

中国专利 :CN105324441A ,2016-02-10

[3]

含吡咯并吡咯二酮-二苯并噻吩苯并二噻吩的共轭聚合物及其制备方法和应用 [P].

周明杰 ;

管榕 ;

李满园 ;

黄佳乐 ;

黎乃元 .

中国专利 :CN103865038A ,2014-06-18

[4]

二酮基吡咯并吡咯低聚物和包含二酮基吡咯并吡咯低聚物的组合物 [P].

P·哈约兹 ;

N·舍博塔莱瓦 ;

Y·H·吉尔茨 ;

S·斯塔斯 ;

J-Y·巴朗迪尔 .

中国专利 :CN104094435B ,2014-10-08

[5]

用于有机半导体器件的二酮基吡咯并吡咯聚合物 [P].

P·哈约兹 ;

P·比雅尔 .

中国专利 :CN103975454A ,2014-08-06

[6]

用于有机半导体器件的二酮基吡咯并吡咯聚合物 [P].

P·哈约兹 ;

M·迪格利 ;

N·舍博塔莱瓦 ;

O·F·埃比谢尔 .

中国专利 :CN102892807A ,2013-01-23

[7]

用于有机半导体器件的二酮吡咯并吡咯聚合物 [P].

M·迪格利 ;

M·扎赫埃特伊施 ;

P·哈约兹 ;

O·F·埃比谢尔 ;

M·丰罗多纳图龙 ;

M·G·R·特比兹 .

中国专利 :CN102203160A ,2011-09-28

[8]

二酮基吡咯并吡咯聚合物和小分子 [P].

P·哈约兹 .

中国专利 :CN104334610A ,2015-02-04

[9]

作为有机半导体的二酮基吡咯并吡咯聚合物 [P].

M·G·R·特比茨 ;

R·A·J·詹森 ;

M·M·韦因克 ;

H·J·柯纳 ;

M·杜格利 ;

B·蒂克 ;

Y·朱 .

中国专利 :CN101479272B ,2009-07-08

[10]

连三吡咯并吡咯二酮聚合物及其合成方法与应用 [P].

刘云圻 ;

杨杰 ;

王翰林 ;

姜莹莹 ;

陈金佯 ;

郭云龙 ;

王帅 .

中国专利 :CN106750193A ,2017-05-31

← 1 2 3 4 5 →