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一种半导体加工用刻蚀装置
被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN202121701880.7
申请日：
2021-07-24
公开(公告)号：
CN216133851U
公开(公告)日：
2022-03-25
发明(设计)人：
陈磊
施剑
申请人：
申请人地址：
226000 江苏省南通市清枫路1号内3幢清枫创业园标准厂房D3幢B区
IPC主分类号：
H01L21677
IPC分类号：
H01L21683
H01L2167
代理机构：
代理人：
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2022-03-25 | 授权 | 授权 |