半导体元件用外延基板、半导体元件及半导体元件用外延基板的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010251741.9

申请日：

2010-08-09

公开(公告)号：

CN102005470A

公开(公告)日：

2011-04-06

发明(设计)人：

三好実人仓冈义孝角谷茂明市村干也杉山智彦田中光浩

申请人：

申请人地址：

日本爱知县名古屋市

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L29778 H01L21335

代理机构：

北京北翔知识产权代理有限公司 11285

代理人：

钟守期;刘文君

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-07-23	授权	授权
2011-04-06	公开	公开
2012-06-13	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101264916523 IPC(主分类):H01L 29/06 专利申请号:2010102517419 申请日:20100809

共 50 条

[1]

半导体元件用外延基板、半导体元件及半导体元件用外延基板的制作方法 [P].

三好实人 ;

仓冈义孝 ;

角谷茂明 ;

田中光浩 .

中国专利 :CN101981677B ,2011-02-23

[2]

半导体元件用外延基板、半导体元件及半导体元件用外延基板的制作方法 [P].

三好実人 ;

仓冈义孝 ;

角谷茂明 ;

市村干也 ;

杉山智彦 ;

田中光浩 .

中国专利 :CN102005471A ,2011-04-06

[3]

半导体元件用外延基板、半导体元件、半导体元件用外延基板的制作方法、以及半导体元件的制作方法 [P].

三好实人 ;

市村干也 ;

田中光浩 .

中国专利 :CN103081080B ,2013-05-01

[4]

半导体元件用外延基板、半导体元件用外延基板的制造方法、以及半导体元件 [P].

三好实人 ;

市村干也 ;

前原宗太 ;

田中光浩 .

中国专利 :CN103109351A ,2013-05-15

[5]

半导体元件用外延基板、半导体元件用外延基板的制造方法以及半导体元件 [P].

角谷茂明 ;

三好実人 ;

杉山智彦 ;

市村干也 ;

仓冈义孝 ;

田中光浩 .

中国专利 :CN102484049A ,2012-05-30

[6]

半导体元件、半导体元件用外延基板及其制作方法 [P].

三好实人 ;

仓冈义孝 ;

角谷茂明 ;

田中光浩 .

中国专利 :CN101981658B ,2011-02-23

[7]

半导体元件用外延基板、半导体元件和半导体元件用外延基板的制造方法 [P].

市村干也 ;

前原宗太 ;

仓冈义孝 .

中国专利 :CN108352327A ,2018-07-31

[8]

半导体元件用外延基板和半导体元件 [P].

市村干也 ;

前原宗太 ;

仓冈义孝 .

中国专利 :CN113506777A ,2021-10-15

[9]

半导体元件用外延基板和半导体元件 [P].

市村干也 ;

前原宗太 ;

仓冈义孝 .

日本专利 :CN113506777B ,2024-12-13

[10]

半导体元件用外延基板、半导体元件和半导体元件用外延基板的制造方法 [P].

市村干也 ;

前原宗太 ;

仓冈义孝 .

中国专利 :CN108140561B ,2018-06-08

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