半导体元件、半导体元件用外延基板及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200980110484.2

申请日：

2009-03-13

公开(公告)号：

CN101981658B

公开(公告)日：

2011-02-23

发明(设计)人：

三好实人仓冈义孝角谷茂明田中光浩

申请人：

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

C23C1634 C30B2938 H01L2120 H01L21338 H01L29201 H01L29778 H01L29812

代理机构：

北京北翔知识产权代理有限公司 11285

代理人：

杨勇;郑建晖

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-02-23	公开	公开
2014-10-29	授权	授权
2011-05-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101069887706 IPC(主分类):H01L 21/205 专利申请号:2009801104842 申请日:20090313

共 50 条

[1]

半导体元件用外延基板、半导体元件及半导体元件用外延基板的制作方法 [P].

三好实人 ;

仓冈义孝 ;

角谷茂明 ;

田中光浩 .

中国专利 :CN101981677B ,2011-02-23

[2]

半导体元件用外延基板、半导体元件、半导体元件用外延基板的制作方法、以及半导体元件的制作方法 [P].

三好实人 ;

市村干也 ;

田中光浩 .

中国专利 :CN103081080B ,2013-05-01

[3]

半导体元件用外延基板、半导体元件及半导体元件用外延基板的制作方法 [P].

三好実人 ;

仓冈义孝 ;

角谷茂明 ;

市村干也 ;

杉山智彦 ;

田中光浩 .

中国专利 :CN102005471A ,2011-04-06

[4]

半导体元件用外延基板、半导体元件及半导体元件用外延基板的制作方法 [P].

三好実人 ;

仓冈义孝 ;

角谷茂明 ;

市村干也 ;

杉山智彦 ;

田中光浩 .

中国专利 :CN102005470A ,2011-04-06

[5]

半导体元件用外延基板、半导体元件用外延基板的制造方法、以及半导体元件 [P].

三好实人 ;

市村干也 ;

前原宗太 ;

田中光浩 .

中国专利 :CN103109351A ,2013-05-15

[6]

半导体元件用外延基板、半导体元件用外延基板的制造方法以及半导体元件 [P].

角谷茂明 ;

三好実人 ;

杉山智彦 ;

市村干也 ;

仓冈义孝 ;

田中光浩 .

中国专利 :CN102484049A ,2012-05-30

[7]

半导体元件用外延基板、半导体元件和半导体元件用外延基板的制造方法 [P].

市村干也 ;

前原宗太 ;

仓冈义孝 .

中国专利 :CN108352327A ,2018-07-31

[8]

半导体元件用外延基板和半导体元件 [P].

市村干也 ;

前原宗太 ;

仓冈义孝 .

日本专利 :CN113506777B ,2024-12-13

[9]

半导体元件用外延基板和半导体元件 [P].

市村干也 ;

前原宗太 ;

仓冈义孝 .

中国专利 :CN113506777A ,2021-10-15

[10]

半导体元件、半导体基板及半导体元件制作方法 [P].

林文斌 .

中国专利 :CN110838516A ,2020-02-25

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