一种非晶硅/微晶硅叠层太阳电池及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110137576.9

申请日：

2011-05-26

公开(公告)号：

CN102208477A

公开(公告)日：

2011-10-05

发明(设计)人：

任慧志赵颖张晓丹葛洪王宗畔

申请人：

申请人地址：

300071 天津市南开区卫津路94号

IPC主分类号：

H01L31075

IPC分类号：

H01L310352 H01L3120 H01L3118

代理机构：

天津佳盟知识产权代理有限公司 12002

代理人：

侯力

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-07-20	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101671083397 IPC(主分类):H01L 31/076 专利号:ZL2011101375769 申请日:20110526 授权公告日:20120822 终止日期:20150526
2011-10-05	公开	公开
2011-11-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101140146638 IPC(主分类):H01L 31/075 专利申请号:2011101375769 申请日:20110526
2012-08-22	授权	授权

共 50 条

[1]

一种高稳定性非晶硅/微晶硅叠层太阳电池及制备方法 [P].

任慧志 ;

赵颖 ;

张晓丹 ;

葛洪 ;

王宗畔 .

中国专利 :CN102244081A ,2011-11-16

[2]

一种非晶硅/微晶硅叠层太阳电池及其制造方法 [P].

靳果 ;

王记昌 ;

朱清智 ;

郭闯 ;

袁铸 ;

申一歌 ;

王慧 .

中国专利 :CN111554762B ,2024-12-20

[3]

一种非晶硅/微晶硅叠层太阳电池及其制造方法 [P].

靳果 ;

王记昌 ;

朱清智 ;

郭闯 ;

袁铸 ;

申一歌 ;

王慧 .

中国专利 :CN111554762A ,2020-08-18

[4]

一种改进非晶硅/微晶硅叠层太阳电池性能的方法 [P].

姚文杰 ;

曾湘波 ;

彭文博 ;

刘石勇 ;

谢小兵 ;

王超 ;

杨萍 .

中国专利 :CN102157614A ,2011-08-17

[5]

一种非晶硅薄膜-P型晶体硅叠层太阳电池及制造工艺 [P].

包健 .

中国专利 :CN102842635A ,2012-12-26

[6]

氢化非晶硅薄膜太阳电池及其制备方法 [P].

班群 .

中国专利 :CN100527448C ,2007-08-15

[7]

非晶硅薄膜太阳电池的制备方法及非晶硅薄膜太阳电池 [P].

刘石勇 ;

牛新伟 ;

李旺 ;

朱登华 ;

刘路 ;

王仕鹏 ;

黄海燕 ;

陆川 .

中国专利 :CN104465894A ,2015-03-25

[8]

非晶硅/染料敏化叠层薄膜太阳电池及其制备方法 [P].

郝三存 ;

佘沛亮 ;

杨善基 .

中国专利 :CN101510568A ,2009-08-19

[9]

一种薄膜\晶硅叠层太阳电池及其制造方法 [P].

张群芳 .

中国专利 :CN104253173A ,2014-12-31

[10]

一种非晶硅标准太阳电池 [P].

李毅 ;

郑泽文 ;

朱厚华 .

中国专利 :CN1588647A ,2005-03-02

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