一种非晶硅/微晶硅叠层太阳电池及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010399817.6

申请日：

2020-05-05

公开(公告)号：

CN111554762B

公开(公告)日：

2024-12-20

发明(设计)人：

靳果王记昌朱清智郭闯袁铸申一歌王慧

申请人：

河南工业职业技术学院

申请人地址：

473000 河南省南阳市宛城区孔明北路666号

IPC主分类号：

H01L31/0352

IPC分类号：

H01L31/076 H01L31/077 H01L31/20

代理机构：

代理人：

法律状态：

授权

国省代码：

黑龙江省鹤岗市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-20	授权	授权

共 50 条

[1]

一种非晶硅/微晶硅叠层太阳电池及其制造方法 [P].

靳果 ;

王记昌 ;

朱清智 ;

郭闯 ;

袁铸 ;

申一歌 ;

王慧 .

中国专利 :CN111554762A ,2020-08-18

[2]

一种非晶硅/微晶硅叠层太阳电池及其制备方法 [P].

任慧志 ;

赵颖 ;

张晓丹 ;

葛洪 ;

王宗畔 .

中国专利 :CN102208477A ,2011-10-05

[3]

一种改进非晶硅/微晶硅叠层太阳电池性能的方法 [P].

姚文杰 ;

曾湘波 ;

彭文博 ;

刘石勇 ;

谢小兵 ;

王超 ;

杨萍 .

中国专利 :CN102157614A ,2011-08-17

[4]

一种高稳定性非晶硅/微晶硅叠层太阳电池及制备方法 [P].

任慧志 ;

赵颖 ;

张晓丹 ;

葛洪 ;

王宗畔 .

中国专利 :CN102244081A ,2011-11-16

[5]

非晶硅薄膜太阳电池的制备方法及非晶硅薄膜太阳电池 [P].

刘石勇 ;

牛新伟 ;

李旺 ;

朱登华 ;

刘路 ;

王仕鹏 ;

黄海燕 ;

陆川 .

中国专利 :CN104465894A ,2015-03-25

[6]

一种具有掺杂中间层结构的非晶/微晶硅叠层太阳电池及其制造方法 [P].

胡跃辉 .

中国专利 :CN101777593A ,2010-07-14

[7]

非晶硅/染料敏化叠层薄膜太阳电池及其制备方法 [P].

郝三存 ;

佘沛亮 ;

杨善基 .

中国专利 :CN101510568A ,2009-08-19

[8]

一种非晶硅薄膜-P型晶体硅叠层太阳电池及制造工艺 [P].

包健 .

中国专利 :CN102842635A ,2012-12-26

[9]

一种薄膜\晶硅叠层太阳电池及其制造方法 [P].

张群芳 .

中国专利 :CN104253173A ,2014-12-31

[10]

非晶硅锗薄膜太阳电池 [P].

杨君坤 ;

刘成 ;

徐正军 .

中国专利 :CN103077982A ,2013-05-01

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