高效率绝缘隔离SiCMOSFET栅驱动电路

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110349739.3

申请日：

2021-03-31

公开(公告)号：

CN113067564B

公开(公告)日：

2021-07-02

发明(设计)人：

周德金徐宏陈珍海黄伟马君健

申请人：

申请人地址：

214100 江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A3幢406

IPC主分类号：

H03K1708

IPC分类号：

代理机构：

苏州国诚专利代理有限公司 32293

代理人：

韩凤

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-01	授权	授权
2021-07-02	公开	公开
2021-07-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H03K 17/08 申请日:20210331

共 50 条

[1]

超高压绝缘隔离SiC MOSFET栅驱动电路 [P].

陈珍海 ;

袁述 ;

卢基存 ;

黎力 .

中国专利 :CN113067567A ,2021-07-02

[2]

超高压绝缘隔离SiC MOSFET栅驱动电路 [P].

陈珍海 ;

袁述 ;

卢基存 ;

黎力 .

中国专利 :CN113067567B ,2024-04-30

[3]

超高速绝缘隔离GaN半桥栅驱动电路 [P].

周德金 ;

徐宏 ;

黄伟 ;

陈珍海 ;

马君健 ;

李亮 .

中国专利 :CN113098471B ,2021-07-09

[4]

高效率栅驱动电路 [P].

陈珍海 .

中国专利 :CN116111816B ,2025-06-27

[5]

具有保护功能的高压绝缘隔离SiC MOSFET栅驱动电路 [P].

陈珍海 ;

袁述 ;

卢基存 ;

黎力 .

中国专利 :CN113067566A ,2021-07-02

[6]

具有保护功能的高压绝缘隔离SiC MOSFET栅驱动电路 [P].

陈珍海 ;

袁述 ;

卢基存 ;

黎力 .

中国专利 :CN113067566B ,2024-04-30

[7]

超高压绝缘隔离IGBT半桥栅驱动电路 [P].

周德金 ;

马君健 ;

黄伟 ;

陈珍海 .

中国专利 :CN113078801B ,2021-07-06

[8]

超高速绝缘隔离栅驱动电路 [P].

朱宁 ;

周德金 ;

王强 ;

陈珍海 ;

马君健 .

中国专利 :CN114157287B ,2025-12-23

[9]

超高速绝缘隔离栅驱动电路 [P].

朱宁 ;

周德金 ;

王强 ;

陈珍海 ;

马君健 .

中国专利 :CN114157287A ,2022-03-08

[10]

智能型高压绝缘隔离半桥栅驱动电路 [P].

陈珍海 ;

王民安 ;

何宁业 ;

宁仁霞 ;

许媛 ;

项建辉 ;

郑科峰 ;

汪礼 ;

鲍婕 ;

吕海江 .

中国专利 :CN113162378B ,2021-07-23

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