具有保护功能的高压绝缘隔离SiC MOSFET栅驱动电路

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110347550.0

申请日：

2021-03-31

公开(公告)号：

CN113067566B

公开(公告)日：

2024-04-30

发明(设计)人：

陈珍海袁述卢基存黎力

申请人：

江苏中科汉韵半导体有限公司

申请人地址：

221000 江苏省徐州市经济技术开发区创业路26号A-2厂房1F-2F

IPC主分类号：

H03K17/082

IPC分类号：

代理机构：

苏州国诚专利代理有限公司 32293

代理人：

韩凤

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省徐州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-30	授权	授权

共 50 条

[1]

具有保护功能的高压绝缘隔离SiC MOSFET栅驱动电路 [P].

陈珍海 ;

袁述 ;

卢基存 ;

黎力 .

中国专利 :CN113067566A ,2021-07-02

[2]

超高压绝缘隔离SiC MOSFET栅驱动电路 [P].

陈珍海 ;

袁述 ;

卢基存 ;

黎力 .

中国专利 :CN113067567A ,2021-07-02

[3]

超高压绝缘隔离SiC MOSFET栅驱动电路 [P].

陈珍海 ;

袁述 ;

卢基存 ;

黎力 .

中国专利 :CN113067567B ,2024-04-30

[4]

高效率绝缘隔离SiCMOSFET栅驱动电路 [P].

周德金 ;

徐宏 ;

陈珍海 ;

黄伟 ;

马君健 .

中国专利 :CN113067564B ,2021-07-02

[5]

超高压绝缘隔离IGBT半桥栅驱动电路 [P].

周德金 ;

马君健 ;

黄伟 ;

陈珍海 .

中国专利 :CN113078801B ,2021-07-06

[6]

隔离型SiC MOSFET驱动电路 [P].

郭文君 ;

唐登平 ;

姜帆 ;

赵志强 ;

车江龙 .

中国专利 :CN117595625A ,2024-02-23

[7]

超高速绝缘隔离栅驱动电路 [P].

朱宁 ;

周德金 ;

王强 ;

陈珍海 ;

马君健 .

中国专利 :CN114157287B ,2025-12-23

[8]

超高速绝缘隔离栅驱动电路 [P].

朱宁 ;

周德金 ;

王强 ;

陈珍海 ;

马君健 .

中国专利 :CN114157287A ,2022-03-08

[9]

超高速绝缘隔离GaN半桥栅驱动电路 [P].

周德金 ;

徐宏 ;

黄伟 ;

陈珍海 ;

马君健 ;

李亮 .

中国专利 :CN113098471B ,2021-07-09

[10]

一种SiC-MOSFET的高速隔离驱动保护电路 [P].

郑遵宇 ;

杨苏 ;

王飞 ;

石聪聪 ;

朱玉振 ;

李绍武 ;

梁琨 .

中国专利 :CN205725693U ,2016-11-23

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