一种Ga2O3薄膜基日盲紫外探测器、制备方法及应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911123816.2

申请日：

2019-11-17

公开(公告)号：

CN110854233A

公开(公告)日：

2020-02-28

发明(设计)人：

郭道友王顺利

申请人：

申请人地址：

321042 浙江省金华市金东区江东镇金武北街180号配套附属用房1楼

IPC主分类号：

H01L31101

IPC分类号：

H01L310216 H01L310224 H01L3118

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-02-28	公开	公开
2020-03-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/101 申请日:20191117
2021-09-07	授权	授权

共 50 条

[1]

基于非晶Ga2O3薄膜的日盲紫外探测器及其制备方法 [P].

李严波 ;

范泽宇 .

中国专利 :CN114725234A ,2022-07-08

[2]

基于MgO钝化的非晶Ga2O3日盲紫外探测器及其制备方法 [P].

李严波 ;

范泽宇 .

中国专利 :CN114823930A ,2022-07-29

[3]

一种高性能Ga2O3薄膜有源日盲紫外探测器及其制备方法 [P].

张洪良 ;

徐翔宇 ;

张佳业 ;

陈文山 .

中国专利 :CN115000228A ,2022-09-02

[4]

一种非晶Ga2O3日盲紫外探测器及其制备方法和应用 [P].

崔书娟 ;

梅增霞 ;

张永晖 ;

梁会力 ;

杜小龙 .

中国专利 :CN108963027A ,2018-12-07

[5]

一种Sn掺杂β-Ga2O3膜及其日盲紫外探测器的制备方法 [P].

范明明 ;

曹铃 ;

李秀燕 .

中国专利 :CN110676352A ,2020-01-10

[6]

基于β-Ga2O3单晶毫米级薄片的日盲紫外探测器 [P].

郭道友 ;

黄亚磊 ;

李培刚 ;

唐为华 .

中国专利 :CN109449219A ,2019-03-08

[7]

一种Zn:Ga2O3薄膜基MSM结构日盲紫外光电探测器及其制备方法 [P].

郭道友 ;

秦新元 ;

王顺利 ;

时浩泽 ;

李培刚 ;

唐为华 ;

沈静琴 .

中国专利 :CN106409963B ,2017-02-15

[8]

一种Ga2O3基PIN结构异质结日盲紫外探测器及其制备方法 [P].

唐可 ;

刘尊 ;

黄浩斐 ;

邓洁 ;

王世琳 ;

王梦倩 ;

龚恒玥 ;

刘川 ;

黄健 ;

王林军 .

中国专利 :CN115642197A ,2023-01-24

[9]

一种β‑Ga2O3基日盲紫外光电探测器阵列及其制备方法 [P].

唐为华 ;

彭阳科 .

中国专利 :CN107507876A ,2017-12-22

[10]

基于α/β-Ga2O3相结的自供电日盲紫外探测器 [P].

郭道友 .

中国专利 :CN109148159B ,2019-01-04

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