半导体结构的形成方法、晶体管的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210113568.5

申请日：

2012-04-17

公开(公告)号：

CN103377928A

公开(公告)日：

2013-10-30

发明(设计)人：

宋化龙

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2102

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-10-30	公开	公开
2013-11-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101545323146 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2012101135685 申请日:20120417
2015-12-16	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体结构的形成方法、晶体管的形成方法 [P].

宋化龙 .

中国专利 :CN103377942A ,2013-10-30

[2]

半导体结构的形成方法、晶体管的形成方法 [P].

刘佳磊 .

中国专利 :CN103377937B ,2013-10-30

[3]

半导体器件的形成方法、晶体管的形成方法 [P].

宋化龙 .

中国专利 :CN103633032B ,2014-03-12

[4]

半导体结构的形成方法，晶体管的形成方法 [P].

宋化龙 .

中国专利 :CN103311110B ,2013-09-18

[5]

半导体结构的形成方法，PMOS晶体管的形成方法 [P].

涂火金 ;

林静 ;

何永根 .

中国专利 :CN102931058B ,2013-02-13

[6]

半导体结构的形成方法、晶体管 [P].

杨鹏 ;

渠汇 ;

钱文明 ;

吉利 ;

唐睿智 ;

刘佳磊 .

中国专利 :CN112864092A ,2021-05-28

[7]

半导体结构的形成方法、晶体管 [P].

杨鹏 ;

渠汇 ;

钱文明 ;

吉利 ;

唐睿智 ;

刘佳磊 .

中国专利 :CN112864092B ,2024-03-08

[8]

半导体结构的形成方法及MOS晶体管的形成方法 [P].

涂火金 ;

何有丰 ;

金兰 .

中国专利 :CN103426735A ,2013-12-04

[9]

半导体结构的形成方法以及VDMOS晶体管的形成方法 [P].

楼颖颖 .

中国专利 :CN102856210A ,2013-01-02

[10]

半导体结构的形成方法、晶体管 [P].

郑二虎 ;

宋佳 .

中国专利 :CN112447510A ,2021-03-05

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