基于阵列型量子自旋霍尔效应绝缘体材料的暂态电压检测方法

被引：0

申请号：

CN202210492913.4

申请日：

2022-05-07

公开(公告)号：

CN115020584A

公开(公告)日：

2022-09-06

发明(设计)人：

余勇邓洪祥吕海峰

申请人：

申请人地址：

313000 浙江省湖州市西塞山路819号南太湖科技创新综合体B2幢8层

IPC主分类号：

H01L4314

IPC分类号：

H01L4310 G01R1900

代理机构：

北京金智普华知识产权代理有限公司 11401

代理人：

郭美

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 43/14 申请日:20220507
2022-09-06	公开	公开

共 50 条

[1]

基于阵列型量子自旋霍尔效应绝缘体材料的暂态电压检测方法 [P].

余勇 ;

邓洪祥 ;

吕海峰 .

中国专利 :CN115020584B ,2025-06-06

[2]

双通道拓扑绝缘体结构、制备方法及产生量子自旋霍尔效应的方法 [P].

何珂 ;

姜高源 ;

薛其坤 .

中国专利 :CN108447981B ,2018-08-24

[3]

将半导体层选通到量子自旋霍尔绝缘体状态 [P].

D·皮库林 ;

G·W·温克勒 ;

R·M·雷钦斯基 ;

D·A·格雷施 .

美国专利 :CN117796183A ,2024-03-29

[4]

基于逆自旋霍尔效应的自旋电子天线阵列及其制备方法 [P].

金立川 ;

李之仪 ;

张岱南 ;

饶毅恒 ;

钟智勇 ;

李明明 ;

白飞明 .

中国专利 :CN111048894B ,2020-04-21

[5]

基于拓扑绝缘体材料和自旋轨道转矩效应的磁子阀结构 [P].

胡训博 ;

叶钊 ;

傅邱云 ;

凌寒冰 .

中国专利 :CN113257992B ,2021-08-13

[6]

一种基于光学量子自旋霍尔效应的太赫兹拓扑传输波导 [P].

欧阳春梅 ;

马家军 .

中国专利 :CN112540427B ,2021-03-23

[7]

基于光子自旋霍尔效应的微波偏振检测装置 [P].

罗伟杰 ;

何琼 ;

孙树林 ;

周磊 .

中国专利 :CN104569622B ,2015-04-29

[8]

导体、绝缘体材料的冲击极化电压实验装置和方法 [P].

唐恩凌 ;

韩雅菲 ;

陈闯 ;

郭凯 ;

常孟周 ;

贺丽萍 .

中国专利 :CN112461692A ,2021-03-09

[9]

一种基于反常自旋量子霍尔效应的MRAM芯片电路 [P].

张怀武 ;

吴雪蕊 ;

金立川 ;

宋祥林 ;

张岱南 ;

徐鑫锴 ;

唐晓莉 .

中国专利 :CN114267388A ,2022-04-01

[10]

基于自旋泵浦-逆自旋霍尔效应的微波磁场探测器及方法 [P].

张文旭 ;

黄飞 ;

彭斌 ;

张万里 .

中国专利 :CN109164400A ,2019-01-08

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