一种基于反常自旋量子霍尔效应的MRAM芯片电路

被引：0

申请号：

CN202111362286.4

申请日：

2021-11-17

公开(公告)号：

CN114267388A

公开(公告)日：

2022-04-01

发明(设计)人：

张怀武吴雪蕊金立川宋祥林张岱南徐鑫锴唐晓莉

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

G11C1115

IPC分类号：

代理机构：

电子科技大学专利中心 51203

代理人：

闫树平

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-01	公开	公开
2022-04-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 11/15 申请日:20211117

共 50 条

[1]

产生量子化反常霍尔效应的方法 [P].

薛其坤 ;

何珂 ;

马旭村 ;

陈曦 ;

王立莉 ;

王亚愚 ;

吕力 ;

常翠祖 ;

冯硝 .

中国专利 :CN103000804B ,2013-03-27

[2]

基于量子反常霍尔效应的量子电流测量方法及测量装置 [P].

邓鹏 ;

崔文强 ;

常凯 ;

何珂 .

中国专利 :CN120908512A ,2025-11-07

[3]

基于量子反常霍尔效应的量子电流测量方法及测量装置 [P].

邓鹏 ;

崔文强 ;

常凯 ;

何珂 .

中国专利 :CN120908512B ,2025-12-16

[4]

一种增强反常霍尔效应的方法 [P].

韩芍娜 ;

邢玮玮 ;

黄海松 ;

赵艳伟 ;

赵娜 .

中国专利 :CN105552216A ,2016-05-04

[5]

用于量子反常霍尔效应薄膜的有效厚度的测定方法 [P].

高宗伟 ;

冯洋 ;

栾建立 ;

李远昭 ;

李一飞 .

中国专利 :CN119958417A ,2025-05-09

[6]

一种量子反常霍尔效应薄膜微结构器件及其制备方法 [P].

高志廷 ;

李耀鑫 ;

王永超 ;

李绍锐 ;

张金松 ;

王亚愚 .

中国专利 :CN110098319B ,2019-08-06

[7]

具有量子化反常霍尔效应的材料和由其形成的霍尔器件 [P].

欧云波 ;

郭建东 .

中国专利 :CN105702854A ,2016-06-22

[8]

一种基于光学量子自旋霍尔效应的太赫兹拓扑传输波导 [P].

欧阳春梅 ;

马家军 .

中国专利 :CN112540427B ,2021-03-23

[9]

一种基于反常霍尔效应的三维磁传感器 [P].

钟智勇 ;

邵凡芮 ;

金立川 ;

廖宇龙 ;

文天龙 ;

唐晓莉 ;

张怀武 .

中国专利 :CN120475892A ,2025-08-12

[10]

一种基于量子霍尔效应的直流互感器 [P].

宋代杰 ;

杨娜娜 ;

李洋 ;

魏妮 ;

王康 ;

冷跻翔 ;

刘相伟 ;

徐凯伦 ;

刘文武 ;

田文福 ;

徐辑墨 ;

徐军 ;

解加斌 .

中国专利 :CN120427957A ,2025-08-05

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