一种增强反常霍尔效应的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610053351.8

申请日：

2016-01-26

公开(公告)号：

CN105552216A

公开(公告)日：

2016-05-04

发明(设计)人：

韩芍娜邢玮玮黄海松赵艳伟赵娜

申请人：

申请人地址：

451400 河南省郑州市郑州新区职教园区前程北路8号（郑州校区）

IPC主分类号：

H01L4314

IPC分类号：

H01L4306

代理机构：

郑州优盾知识产权代理有限公司 41125

代理人：

孙诗雨;董晓慧

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-05-04	公开	公开
2017-12-19	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 43/14 变更事项:申请人变更前:河南理工大学万方科技学院变更后:郑州工商学院变更事项:地址变更前:451400 河南省郑州市郑州新区职教园区前程北路8号（郑州校区）变更后:451400 河南省郑州市郑州新区职教园区前程北路8号(郑州校区)
2018-02-02	授权	授权

共 50 条

[1]

产生量子化反常霍尔效应的方法 [P].

薛其坤 ;

何珂 ;

马旭村 ;

陈曦 ;

王立莉 ;

王亚愚 ;

吕力 ;

常翠祖 ;

冯硝 .

中国专利 :CN103000804B ,2013-03-27

[2]

一种提高反常霍尔效应涂层材料节电效率的方法 [P].

陈玉麟 .

中国专利 :CN110308750A ,2019-10-08

[3]

用于量子反常霍尔效应薄膜的有效厚度的测定方法 [P].

高宗伟 ;

冯洋 ;

栾建立 ;

李远昭 ;

李一飞 .

中国专利 :CN119958417A ,2025-05-09

[4]

一种基于反常自旋量子霍尔效应的MRAM芯片电路 [P].

张怀武 ;

吴雪蕊 ;

金立川 ;

宋祥林 ;

张岱南 ;

徐鑫锴 ;

唐晓莉 .

中国专利 :CN114267388A ,2022-04-01

[5]

一种具有反常霍尔效应的材料及其制备方法和应用 [P].

刘恩克 ;

申建雷 ;

王文洪 ;

郗学奎 ;

吴光恒 .

中国专利 :CN113737285A ,2021-12-03

[6]

量子反常霍尔效应燃烧预处理器 [P].

朱霞敏 .

中国专利 :CN203604070U ,2014-05-21

[7]

一种量子反常霍尔效应薄膜微结构器件及其制备方法 [P].

高志廷 ;

李耀鑫 ;

王永超 ;

李绍锐 ;

张金松 ;

王亚愚 .

中国专利 :CN110098319B ,2019-08-06

[8]

一种在透射电子显微镜中测试材料霍尔/反常霍尔效应的方法 [P].

车仁超 ;

裴科 ;

杨利廷 ;

张瑞轩 ;

杨辰迪 ;

张捷 .

中国专利 :CN113125474B ,2021-07-16

[9]

一种双层反常霍尔效应薄膜材料、制备方法及传感器 [P].

覃思 ;

周柯 ;

金庆忍 ;

莫枝阅 ;

吴丽芳 ;

廖文涛 ;

王晓明 ;

卢柏桦 ;

奉斌 .

中国专利 :CN119716678A ,2025-03-28

[10]

一种基于反常霍尔效应的三维磁传感器 [P].

钟智勇 ;

邵凡芮 ;

金立川 ;

廖宇龙 ;

文天龙 ;

唐晓莉 ;

张怀武 .

中国专利 :CN120475892A ,2025-08-12

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