一种具有反常霍尔效应的材料及其制备方法和应用

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202110581606.9
申请日
2021-05-27
公开(公告)号
CN113737285A
公开(公告)日
2021-12-03
发明(设计)人
刘恩克 申建雷 王文洪 郗学奎 吴光恒
申请人
申请人地址
100190 北京市海淀区中关村南三街8号
IPC主分类号
C30B2946
IPC分类号
C30B910 C30B2500 C30B1102 G01D514 G11C1102
代理机构
北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280
代理人
郭广迅;赵岩
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
具有反常霍尔效应的反钙钛矿薄膜材料及其制备与应用 [P]. 
赵侃 ;
崔雪玲 ;
郭杰森 .
中国专利 :CN121204829A ,2025-12-26
[2]
一种具有完全磁补偿效应和高纵向自旋极化的材料及其制备方法和应用 [P]. 
苏昆朋 ;
孟冬冬 .
中国专利 :CN120210632A ,2025-06-27
[3]
一种反常霍尔器件及其制备方法和应用 [P]. 
刘辉 ;
孙连峰 ;
彭志盛 ;
李勇军 ;
任红轩 ;
魏浩男 .
中国专利 :CN117677276A ,2024-03-08
[4]
具备反常霍尔效应的涂层材料及其制备方法与涂覆方法 [P]. 
李晓卿 .
中国专利 :CN118852920A ,2024-10-29
[5]
一种基于反常霍尔效应的钯基多层膜氢气传感器及其制备方法和应用 [P]. 
安红雨 ;
刘汇 ;
杨卉 ;
韩培刚 ;
何斌 .
中国专利 :CN120214031A ,2025-06-27
[6]
一种具有全补偿亚铁磁性和拓扑霍尔效应的层状范德华材料及其制备方法和应用 [P]. 
苏昆朋 ;
任笑宇 ;
邱焱能 ;
黄帅 ;
王海欧 ;
杨琳 .
中国专利 :CN121174922A ,2025-12-19
[7]
一种增强反常霍尔效应的方法 [P]. 
韩芍娜 ;
邢玮玮 ;
黄海松 ;
赵艳伟 ;
赵娜 .
中国专利 :CN105552216A ,2016-05-04
[8]
一种双层反常霍尔效应薄膜材料、制备方法及传感器 [P]. 
覃思 ;
周柯 ;
金庆忍 ;
莫枝阅 ;
吴丽芳 ;
廖文涛 ;
王晓明 ;
卢柏桦 ;
奉斌 .
中国专利 :CN119716678A ,2025-03-28
[9]
具有量子化反常霍尔效应的材料和由其形成的霍尔器件 [P]. 
欧云波 ;
郭建东 .
中国专利 :CN105702854A ,2016-06-22
[10]
具有大反常霍尔效应的笼目结构亚铁磁体及其制备方法 [P]. 
陈栋 ;
魏全兴 ;
周仪 ;
滕冰 .
中国专利 :CN119400580A ,2025-02-07