一种基于反常霍尔效应的钯基多层膜氢气传感器及其制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510411545.X

申请日：

2025-04-02

公开(公告)号：

CN120214031A

公开(公告)日：

2025-06-27

发明(设计)人：

安红雨刘汇杨卉韩培刚何斌

申请人：

深圳技术大学

申请人地址：

518000 广东省深圳市坪山区石井街道兰田路3002号

IPC主分类号：

G01N27/12

IPC分类号：

C23C14/35 C23C14/14 C23C14/58

代理机构：

深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268

代理人：

刘芙蓉

法律状态：

公开

国省代码：

广东省深圳市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-27	公开	公开
2025-07-15	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G01N 27/12申请日:20250402

共 50 条

[1]

利用反常霍尔效应的磁传感器和霍尔传感器以及霍尔传感器的制造方法 [P].

金泰完 .

中国专利 :CN113167841A ,2021-07-23

[2]

利用反常霍尔效应的磁传感器和霍尔传感器以及霍尔传感器的制造方法 [P].

金泰完 .

韩国专利 :CN113167841B ,2024-08-20

[3]

一种基于反常霍尔效应的三维磁传感器 [P].

钟智勇 ;

邵凡芮 ;

金立川 ;

廖宇龙 ;

文天龙 ;

唐晓莉 ;

张怀武 .

中国专利 :CN120475892A ,2025-08-12

[4]

一种具有反常霍尔效应的材料及其制备方法和应用 [P].

刘恩克 ;

申建雷 ;

王文洪 ;

郗学奎 ;

吴光恒 .

中国专利 :CN113737285A ,2021-12-03

[5]

一种双层反常霍尔效应薄膜材料、制备方法及传感器 [P].

覃思 ;

周柯 ;

金庆忍 ;

莫枝阅 ;

吴丽芳 ;

廖文涛 ;

王晓明 ;

卢柏桦 ;

奉斌 .

中国专利 :CN119716678A ,2025-03-28

[6]

一种反常霍尔器件及其制备方法和应用 [P].

刘辉 ;

孙连峰 ;

彭志盛 ;

李勇军 ;

任红轩 ;

魏浩男 .

中国专利 :CN117677276A ,2024-03-08

[7]

一种氢气传感器及其制备方法和应用 [P].

杨飘云 ;

罗春娅 ;

李莎 ;

顾豪爽 .

中国专利 :CN118624669A ,2024-09-10

[8]

一种氢气传感器芯体及其制备方法和氢气传感器 [P].

谢贵久 ;

陆运章 ;

刘松 ;

杨晓生 ;

谢锋 .

中国专利 :CN113406161B ,2024-04-02

[9]

一种氢气传感器芯体及其制备方法和氢气传感器 [P].

陆运章 ;

刘松 ;

杨晓生 ;

谢锋 .

中国专利 :CN113406161A ,2021-09-17

[10]

一种室温氢气传感器及其制备方法和应用 [P].

张国柱 ;

轩福贞 ;

高瑞 ;

高阳 ;

马澜瑜 .

中国专利 :CN119827604A ,2025-04-15

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