用于量子反常霍尔效应薄膜的有效厚度的测定方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510120828.9

申请日：

2025-01-24

公开(公告)号：

CN119958417A

公开(公告)日：

2025-05-09

发明(设计)人：

高宗伟冯洋栾建立李远昭李一飞

申请人：

北京量子信息科学研究院

申请人地址：

100193 北京市海淀区中关村软件园二期国际与区域协同创新中心A座

IPC主分类号：

G01B7/06

IPC分类号：

代理机构：

北京律和信知识产权代理事务所(普通合伙) 11446

代理人：

刘兴;谢清萍

法律状态：

公开

国省代码：

北京市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-09	公开	公开
2025-05-27	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G01B 7/06申请日:20250124

共 50 条

[1]

产生量子化反常霍尔效应的方法 [P].

薛其坤 ;

何珂 ;

马旭村 ;

陈曦 ;

王立莉 ;

王亚愚 ;

吕力 ;

常翠祖 ;

冯硝 .

中国专利 :CN103000804B ,2013-03-27

[2]

基于量子反常霍尔效应的量子电流测量方法及测量装置 [P].

邓鹏 ;

崔文强 ;

常凯 ;

何珂 .

中国专利 :CN120908512A ,2025-11-07

[3]

基于量子反常霍尔效应的量子电流测量方法及测量装置 [P].

邓鹏 ;

崔文强 ;

常凯 ;

何珂 .

中国专利 :CN120908512B ,2025-12-16

[4]

量子反常霍尔效应燃烧预处理器 [P].

朱霞敏 .

中国专利 :CN203604070U ,2014-05-21

[5]

一种量子反常霍尔效应薄膜微结构器件及其制备方法 [P].

高志廷 ;

李耀鑫 ;

王永超 ;

李绍锐 ;

张金松 ;

王亚愚 .

中国专利 :CN110098319B ,2019-08-06

[6]

一种增强反常霍尔效应的方法 [P].

韩芍娜 ;

邢玮玮 ;

黄海松 ;

赵艳伟 ;

赵娜 .

中国专利 :CN105552216A ,2016-05-04

[7]

具有量子化反常霍尔效应的材料和由其形成的霍尔器件 [P].

欧云波 ;

郭建东 .

中国专利 :CN105702854A ,2016-06-22

[8]

一种基于反常自旋量子霍尔效应的MRAM芯片电路 [P].

张怀武 ;

吴雪蕊 ;

金立川 ;

宋祥林 ;

张岱南 ;

徐鑫锴 ;

唐晓莉 .

中国专利 :CN114267388A ,2022-04-01

[9]

一种双层反常霍尔效应薄膜材料、制备方法及传感器 [P].

覃思 ;

周柯 ;

金庆忍 ;

莫枝阅 ;

吴丽芳 ;

廖文涛 ;

王晓明 ;

卢柏桦 ;

奉斌 .

中国专利 :CN119716678A ,2025-03-28

[10]

一种提高反常霍尔效应涂层材料节电效率的方法 [P].

陈玉麟 .

中国专利 :CN110308750A ,2019-10-08

← 1 2 3 4 5 →