一种多孔SiO2纳米线阵列的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510150911.7

申请日：

2015-04-01

公开(公告)号：

CN104835719A

公开(公告)日：

2015-08-12

发明(设计)人：

何海平蔚倩倩叶志镇

申请人：

申请人地址：

310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

B82Y3000 B82Y4000 C01B33113

代理机构：

杭州求是专利事务所有限公司 33200

代理人：

韩介梅

法律状态：

著录事项变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-02-27	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 21/02 变更事项:发明人变更前:何海平蔚倩倩叶志镇变更后:何海平甘露蔚倩倩叶志镇
2015-08-12	公开	公开
2018-03-16	授权	授权
2015-09-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101624663766 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2015101509117 申请日:20150401

共 50 条

[1]

一种多孔硅纳米线阵列的制备方法 [P].

李绍元 ;

耿超 ;

马文会 ;

何祖东 ;

万小涵 ;

雷云 ;

颜恒维 ;

于洁 ;

魏奎先 ;

谢克强 ;

杨斌 ;

戴永年 .

中国专利 :CN108847383A ,2018-11-20

[2]

一种低掺杂多孔硅纳米线阵列的制备方法 [P].

胡俊青 ;

陈辉辉 ;

陈海华 ;

王娜 ;

邹儒佳 ;

张震宇 ;

余利 .

中国专利 :CN101973517A ,2011-02-16

[3]

一种制备SiC纳米线阵列的方法 [P].

师文生 ;

刘海龙 ;

佘广为 ;

凌世婷 .

中国专利 :CN101613881A ,2009-12-30

[4]

一种硅纳米线阵列的制备方法 [P].

彭奎庆 ;

李述汤 .

中国专利 :CN101302118A ,2008-11-12

[5]

光滑表面硅纳米线阵列的制备方法 [P].

沈文忠 ;

谢卫强 .

中国专利 :CN102126724A ,2011-07-20

[6]

一种基于金属辅助化学刻蚀技术制备硅纳米线阵列的方法 [P].

杨宇 ;

周志文 ;

王荣飞 ;

杨杰 ;

王茺 .

中国专利 :CN107634005A ,2018-01-26

[7]

一种SiC/SiO2同轴纳米线的制备方法 [P].

王继刚 ;

黄珊 .

中国专利 :CN103738964B ,2014-04-23

[8]

纳米多孔SiO2薄膜的制备方法、纳米多孔SiO2微球粉末及其制备工艺、应用 [P].

唐正霞 ;

王威 ;

相恒一 .

中国专利 :CN111252777A ,2020-06-09

[9]

一种Ag‑SiO2‑Ag纳米球阵列的制备方法 [P].

张璋 ;

刘利伟 ;

高兴森 .

中国专利 :CN104692827B ,2015-06-10

[10]

硅纳米线阵列的制备方法 [P].

李亚丽 ;

王艳周 ;

栗军帅 .

中国专利 :CN106409653B ,2017-02-15

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