用于研磨半导体晶片的方法

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申请号
CN202180030327.1
申请日
2021-04-12
公开(公告)号
CN115427194A
公开(公告)日
2022-12-02
发明(设计)人
M·克斯坦 S·奥伯汉斯 R·魏斯
申请人
申请人地址
德国慕尼黑
IPC主分类号
B24B3708
IPC分类号
B24B3704 B24B3710 B24B5502
代理机构
永新专利商标代理有限公司 72002
代理人
刘佳斐
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
研磨半导体晶片的方法 [P]. 
J·容格 ;
R·魏斯 .
中国专利 :CN101337336A ,2009-01-07
[2]
用于研磨半导体晶片的方法 [P]. 
J·施万德纳 .
中国专利 :CN102029573A ,2011-04-27
[3]
用于研磨半导体晶片的方法 [P]. 
J·施万德纳 .
中国专利 :CN105914130A ,2016-08-31
[4]
半导体晶片的研磨方法及半导体晶片 [P]. 
桥本大辅 ;
又川敏 ;
桥井友裕 .
中国专利 :CN109643650A ,2019-04-16
[5]
半导体晶片研磨装置和半导体晶片研磨方法 [P]. 
久保亨 .
中国专利 :CN1978136B ,2007-06-13
[6]
半导体晶片的研磨方法 [P]. 
寺川良也 ;
青木健司 .
中国专利 :CN102574266A ,2012-07-11
[7]
同时研磨多个半导体晶片的方法 [P]. 
G·皮奇 ;
M·克斯坦 ;
H·a·d·施普林 .
中国专利 :CN101269476A ,2008-09-24
[8]
同时研磨多个半导体晶片的方法 [P]. 
G·皮奇 ;
M·克斯坦 ;
H·a·d·施普林 .
中国专利 :CN101829948A ,2010-09-15
[9]
同时研磨多个半导体晶片的方法 [P]. 
G·皮奇 ;
M·克斯坦 ;
H·a·d·施普林 .
中国专利 :CN101870085A ,2010-10-27
[10]
半导体晶片背面研磨方法 [P]. 
福田和哉 ;
森俊 .
中国专利 :CN1509495A ,2004-06-30