CMOS-TDI图像传感器及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811288580.3

申请日：

2018-10-31

公开(公告)号：

CN109216394B

公开(公告)日：

2019-01-15

发明(设计)人：

王林黄金德

申请人：

申请人地址：

215300 江苏省苏州市昆山开发区伟业路18号现代广场A座508-511室

IPC主分类号：

H01L27146

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

徐文欣;吴敏

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-11-24	授权	授权
2019-02-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/146 申请日:20181031
2019-01-15	公开	公开
2020-05-08	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 27/146 变更事项:申请人变更前:昆山锐芯微电子有限公司变更后:锐芯微电子股份有限公司变更事项:地址变更前:215300 江苏省苏州市昆山市开发区伟业路18号现代广场A座508-511室变更后:215300 江苏省苏州市昆山开发区伟业路18号现代广场A座508-511室

共 50 条

[1]

CMOS-TDI图像传感器及其形成方法 [P].

王林 ;

黄金德 .

中国专利 :CN109273477A ,2019-01-25

[2]

CMOS-TDI图像传感器及其形成方法 [P].

黄金德 ;

王林 ;

胡万景 .

中国专利 :CN110729319A ,2020-01-24

[3]

CMOS-TDI图像传感器及其形成方法 [P].

黄金德 ;

王林 .

中国专利 :CN109216393A ,2019-01-15

[4]

CMOS-TDI图像传感器及其形成方法 [P].

王林 ;

黄金德 .

中国专利 :CN109411499A ,2019-03-01

[5]

高行频CMOS-TDI图像传感器 [P].

聂凯明 ;

姚素英 ;

徐江涛 ;

高志远 ;

史再峰 ;

高静 .

中国专利 :CN104219468A ,2014-12-17

[6]

数字域累加CMOS-TDI图像传感器 [P].

高静 ;

聂凯明 ;

徐江涛 ;

姚素英 ;

史再峰 ;

袁高斌 ;

李渊清 .

中国专利 :CN102595068A ,2012-07-18

[7]

低功耗数字域累加CMOS-TDI图像传感器 [P].

姚素英 ;

聂凯明 ;

徐江涛 ;

高静 ;

史再峰 ;

高岑 .

中国专利 :CN102595066A ,2012-07-18

[8]

一种模数转换电路、CMOS-TDI图像传感器电路及其工作方法 [P].

刘洋 .

中国专利 :CN117914323A ,2024-04-19

[9]

图像传感器的形成方法、CMOS图像传感器及其形成方法 [P].

郑有宏 ;

丁世泛 ;

江彦廷 ;

杜友伦 ;

蔡敏瑛 .

中国专利 :CN110867460B ,2020-03-06

[10]

CMOS图像传感器及其形成方法 [P].

蔡巧明 ;

杨建平 ;

邢春燕 .

中国专利 :CN102024755B ,2011-04-20

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