低功耗数字域累加CMOS-TDI图像传感器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210054725.X

申请日：

2012-03-05

公开(公告)号：

CN102595066A

公开(公告)日：

2012-07-18

发明(设计)人：

姚素英聂凯明徐江涛高静史再峰高岑

申请人：

申请人地址：

300072 天津市南开区卫津路92号

IPC主分类号：

H04N53745

IPC分类号：

H04N5378

代理机构：

天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201

代理人：

刘国威

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-07-24	授权	授权
2012-09-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101327318106 IPC(主分类):H04N 5/3745 专利申请号:201210054725X 申请日:20120305
2012-07-18	公开	公开
2022-02-22	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H04N 5/3745 申请日:20120305 授权公告日:20130724 终止日期:20210305

共 50 条

[1]

数字域累加CMOS-TDI图像传感器 [P].

高静 ;

聂凯明 ;

徐江涛 ;

姚素英 ;

史再峰 ;

袁高斌 ;

李渊清 .

中国专利 :CN102595068A ,2012-07-18

[2]

一种低功耗数字域累积CMOS-TDI图像传感器及方法 [P].

郝文慧 ;

刘文浩 ;

李鑫垚 ;

罗皓 ;

张洪艳 .

中国专利 :CN120935475A ,2025-11-11

[3]

电荷与数字混合累加型CMOS‑TDI图像传感器 [P].

高静 ;

黄蕊 ;

聂凯明 ;

徐江涛 .

中国专利 :CN106454164A ,2017-02-22

[4]

高行频CMOS-TDI图像传感器 [P].

聂凯明 ;

姚素英 ;

徐江涛 ;

高志远 ;

史再峰 ;

高静 .

中国专利 :CN104219468A ,2014-12-17

[5]

用于CMOS-TDI图像传感器的电流累加型像素结构 [P].

聂凯明 ;

姚素英 ;

徐江涛 ;

史再峰 ;

高志远 ;

高静 .

中国专利 :CN104270584A ,2015-01-07

[6]

电荷域、模拟域混合型CMOS‑TDI图像传感器 [P].

姚素英 ;

于长伟 ;

聂凯明 ;

徐江涛 ;

高静 .

中国专利 :CN107046627A ,2017-08-15

[7]

CMOS-TDI图像传感器及其形成方法 [P].

黄金德 ;

王林 ;

胡万景 .

中国专利 :CN110729319A ,2020-01-24

[8]

CMOS-TDI图像传感器及其形成方法 [P].

黄金德 ;

王林 .

中国专利 :CN109216393A ,2019-01-15

[9]

CMOS-TDI图像传感器及其形成方法 [P].

王林 ;

黄金德 .

中国专利 :CN109216394B ,2019-01-15

[10]

一种模数转换电路、CMOS-TDI图像传感器电路及其工作方法 [P].

刘洋 .

中国专利 :CN117914323A ,2024-04-19

← 1 2 3 4 5 →