一种亚阈值全CMOS基准电压源

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN201520900615.X
申请日
2015-11-12
公开(公告)号
CN205139757U
公开(公告)日
2016-04-06
发明(设计)人
韦雪明 朱智勇 段吉海 邓进丽 赵洪飞 乔帅领
申请人
申请人地址
541004 广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号
IPC主分类号
G05F156
IPC分类号
代理机构
桂林市持衡专利商标事务所有限公司 45107
代理人
陈跃琳
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
一种亚阈值全CMOS基准电压源 [P]. 
韦雪明 ;
朱智勇 ;
段吉海 ;
邓进丽 ;
赵洪飞 ;
乔帅领 .
中国专利 :CN105278606A ,2016-01-27
[2]
一种全CMOS基准电压源 [P]. 
岳宏卫 ;
邓进丽 ;
朱智勇 ;
韦雪明 ;
段吉海 .
中国专利 :CN205620849U ,2016-10-05
[3]
一种CMOS亚阈值基准电压源 [P]. 
周泽坤 ;
袁*东 ;
石跃 ;
李响 ;
石旺 ;
张波 .
中国专利 :CN108205353B ,2018-06-26
[4]
一种高电源抑制比全CMOS基准电压源 [P]. 
岳宏卫 ;
龚全熙 ;
朱智勇 ;
徐卫林 ;
吴超飞 ;
孙晓菲 ;
汤寒雪 ;
邓进丽 .
中国专利 :CN206573970U ,2017-10-20
[5]
CMOS基准电压源 [P]. 
孙伟锋 ;
夏晓娟 ;
徐申 ;
李海松 ;
时龙兴 .
中国专利 :CN200997086Y ,2007-12-26
[6]
一种高电源抑制比全CMOS基准电压源 [P]. 
岳宏卫 ;
龚全熙 ;
朱智勇 ;
徐卫林 ;
吴超飞 ;
孙晓菲 ;
汤寒雪 ;
邓进丽 .
中国专利 :CN106843358A ,2017-06-13
[7]
一种低功耗亚阈值基准电压源结构 [P]. 
王昌志 .
中国专利 :CN221351990U ,2024-07-16
[8]
CMOS基准电压源 [P]. 
孙伟锋 ;
夏晓娟 ;
徐申 ;
李海松 ;
时龙兴 .
中国专利 :CN101038498A ,2007-09-19
[9]
一种低功耗亚阈值基准电压源 [P]. 
谢海情 ;
王昌志 ;
赵欣领 ;
梁文萱 ;
何奕成 ;
苏嘉豪 ;
易石基 .
中国专利 :CN118331379A ,2024-07-12
[10]
一种CMOS分段高阶温度补偿的亚阈值基准电压源 [P]. 
孙伟锋 ;
杨淼 ;
徐申 ;
高庆 ;
王益峰 ;
陆生礼 ;
时龙兴 .
中国专利 :CN202102329U ,2012-01-04