一种氮化镓基发光二极管外延片及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610037561.8

申请日：

2016-01-20

公开(公告)号：

CN105552178B

公开(公告)日：

2016-05-04

发明(设计)人：

郭炳磊葛永晖吕蒙普谢文明陈柏松胡加辉魏世祯

申请人：

申请人地址：

215600 江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3306 H01L3314 H01L3332

代理机构：

北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138

代理人：

徐立

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-11-14	授权	授权
2016-05-04	公开	公开
2016-06-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101662914483 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2016100375618 申请日:20160120

共 50 条

[1]

一种氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法 [P].

丁涛 ;

韦春余 ;

周飚 ;

胡加辉 ;

李鹏 .

中国专利 :CN108336203B ,2018-07-27

[2]

氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法 [P].

刘旺平 ;

乔楠 ;

吕蒙普 ;

胡加辉 ;

李鹏 .

中国专利 :CN109980056B ,2019-07-05

[3]

氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法 [P].

陶章峰 ;

程金连 ;

张武斌 ;

乔楠 ;

李鹏 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN109904288A ,2019-06-18

[4]

氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法 [P].

陶章峰 ;

张武斌 ;

乔楠 ;

李鹏 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN109768133A ,2019-05-17

[5]

氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法 [P].

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 ;

顾伟 .

中国专利 :CN117637948A ,2024-03-01

[6]

氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法 [P].

丁杰 ;

秦双娇 ;

胡任浩 ;

周飚 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN109950368A ,2019-06-28

[7]

氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法 [P].

陶章峰 ;

程金连 ;

曹阳 ;

乔楠 ;

李鹏 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN109920896B ,2019-06-21

[8]

氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法 [P].

刘旺平 ;

乔楠 ;

吕蒙普 ;

胡加辉 ;

李鹏 .

中国专利 :CN109920883A ,2019-06-21

[9]

一种氮化镓基发光二极管的外延片及其制作方法 [P].

王群 ;

郭炳磊 ;

董彬忠 ;

李鹏 ;

王江波 .

中国专利 :CN106876530B ,2017-06-20

[10]

氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法 [P].

张奕 ;

董彬忠 ;

王江波 .

中国专利 :CN112133799A ,2020-12-25

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