低损耗温度稳定型微波介电陶瓷Ca3In2TiO8

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610624982.0

申请日：

2016-07-30

公开(公告)号：

CN106242558A

公开(公告)日：

2016-12-21

发明(设计)人：

郑彬宁苏聪学覃杏柳

申请人：

申请人地址：

541004 广西壮族自治区桂林市建干路12号

IPC主分类号：

C04B35462

IPC分类号：

C04B35622

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-01-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101697761754 IPC(主分类):C04B 35/462 专利申请号:2016106249820 申请日:20160730
2021-03-02	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C04B 35/462 申请公布日:20161221
2016-12-21	公开	公开

共 50 条

[1]

低损耗温度稳定型微波介电陶瓷LiBSi3O8 [P].

唐莹 ;

段炼 ;

苏和平 .

中国专利 :CN106187129A ,2016-12-07

[2]

低损耗温度稳定型微波介电陶瓷LiGaSn3O8 [P].

徐敏育 ;

唐莹 ;

段炼 .

中国专利 :CN106187160A ,2016-12-07

[3]

低损耗温度稳定型微波介电陶瓷LiFeSi3O8 [P].

苏和平 ;

唐莹 ;

段炼 .

中国专利 :CN106278214A ,2017-01-04

[4]

低损耗温度稳定型微波介电陶瓷LiFeSn3O8 [P].

苏和平 ;

唐莹 ;

段炼 .

中国专利 :CN106278242A ,2017-01-04

[5]

低损耗温度稳定型微波介电陶瓷LiInSnO4 [P].

段炼 ;

方维双 ;

苏和平 .

中国专利 :CN106145929A ,2016-11-23

[6]

低损耗的温度稳定型微波介电陶瓷LiMg3NbWO9 [P].

方亮 ;

王丹 ;

苏和平 .

中国专利 :CN104671783B ,2015-06-03

[7]

低损耗温度稳定型微波介电陶瓷Li2SrGe2O6 [P].

徐敏育 ;

段炼 ;

苏和平 .

中国专利 :CN106278189A ,2017-01-04

[8]

一种低损耗温度稳定型钼酸盐微波介电陶瓷 [P].

方亮 ;

段炼 ;

苏和平 .

中国专利 :CN107129302A ,2017-09-05

[9]

低损耗温度稳定型微波介电陶瓷Li2Bi4Si3O13 [P].

唐莹 ;

段炼 ;

苏和平 .

中国专利 :CN106242554A ,2016-12-21

[10]

LiInSiO4作为低损耗温度稳定型微波介电陶瓷的应用 [P].

方亮 ;

段炼 ;

苏和平 .

中国专利 :CN105967667A ,2016-09-28

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