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低损耗温度稳定型微波介电陶瓷LiInSnO4

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201610485507.X
申请日：
2016-06-27
公开(公告)号：
CN106145929A
公开(公告)日：
2016-11-23
发明(设计)人：
段炼 方维双 苏和平
申请人：
申请人地址：
541004 广西壮族自治区桂林市建干路12号
IPC主分类号：
C04B35457
IPC分类号：
C04B35622 C04B35634
代理机构：
代理人：
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2016-11-23 公开 公开
2021-01-29 发明专利申请公布后的驳回 发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C04B 35/457 申请公布日:20161123
2016-12-21 实质审查的生效 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101692526606 IPC(主分类):C04B 35/457 专利申请号:201610485507X 申请日:20160627
共 50 条
[1]
LiInSiO4作为低损耗温度稳定型微波介电陶瓷的应用 [P]. 
方亮 ;
段炼 ;
苏和平 .
中国专利 :CN105967667A ,2016-09-28
[2]
一种低损耗温度稳定型微波介电陶瓷LiFeSiO4 [P]. 
叶存军 ;
段炼 ;
李纯纯 .
中国专利 :CN106187132A ,2016-12-07
[3]
LiGaGeO4作为低损耗温度稳定型微波介电陶瓷的应用 [P]. 
方亮 ;
段炼 ;
苏和平 .
中国专利 :CN106167397A ,2016-11-30
[4]
低损耗温度稳定型微波介电陶瓷LiBSi3O8 [P]. 
唐莹 ;
段炼 ;
苏和平 .
中国专利 :CN106187129A ,2016-12-07
[5]
低损耗温度稳定型微波介电陶瓷LiFeSi3O8 [P]. 
苏和平 ;
唐莹 ;
段炼 .
中国专利 :CN106278214A ,2017-01-04
[6]
低损耗温度稳定型微波介电陶瓷LiGaSn3O8 [P]. 
徐敏育 ;
唐莹 ;
段炼 .
中国专利 :CN106187160A ,2016-12-07
[7]
一种低损耗温度稳定型钼酸盐微波介电陶瓷 [P]. 
方亮 ;
段炼 ;
苏和平 .
中国专利 :CN107129302A ,2017-09-05
[8]
低损耗温度稳定型微波介电陶瓷LiFeSn3O8 [P]. 
苏和平 ;
唐莹 ;
段炼 .
中国专利 :CN106278242A ,2017-01-04
[9]
低损耗的温度稳定型微波介电陶瓷LiMg3NbWO9 [P]. 
方亮 ;
王丹 ;
苏和平 .
中国专利 :CN104671783B ,2015-06-03
[10]
低损耗温度稳定型微波介电陶瓷Ca3In2TiO8 [P]. 
郑彬宁 ;
苏聪学 ;
覃杏柳 .
中国专利 :CN106242558A ,2016-12-21
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