LiGaGeO4作为低损耗温度稳定型微波介电陶瓷的应用

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专利类型
发明
申请号
CN201610485098.3
申请日
2016-06-26
公开(公告)号
CN106167397A
公开(公告)日
2016-11-30
发明(设计)人
方亮 段炼 苏和平
申请人
申请人地址
541004 广西壮族自治区桂林市建干路12号
IPC主分类号
C04B3501
IPC分类号
代理机构
代理人
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
LiInSiO4作为低损耗温度稳定型微波介电陶瓷的应用 [P]. 
方亮 ;
段炼 ;
苏和平 .
中国专利 :CN105967667A ,2016-09-28
[2]
低损耗温度稳定型微波介电陶瓷LiInSnO4 [P]. 
段炼 ;
方维双 ;
苏和平 .
中国专利 :CN106145929A ,2016-11-23
[3]
一种锗酸盐作为低损耗温度稳定型微波介电陶瓷的应用 [P]. 
方亮 ;
段炼 ;
苏和平 .
中国专利 :CN106116528A ,2016-11-16
[4]
Li3GaSiO5作为低损耗温度稳定型微波介电陶瓷的应用 [P]. 
方亮 ;
段炼 ;
苏和平 .
中国专利 :CN106116552A ,2016-11-16
[5]
一种硅酸盐作为低损耗温度稳定型微波介电陶瓷的应用 [P]. 
方亮 ;
段炼 ;
苏和平 .
中国专利 :CN106116553A ,2016-11-16
[6]
一种低损耗温度稳定型微波介电陶瓷LiFeSiO4 [P]. 
叶存军 ;
段炼 ;
李纯纯 .
中国专利 :CN106187132A ,2016-12-07
[7]
低损耗温度稳定型微波介电陶瓷LiBSi3O8 [P]. 
唐莹 ;
段炼 ;
苏和平 .
中国专利 :CN106187129A ,2016-12-07
[8]
低损耗温度稳定型微波介电陶瓷LiFeSi3O8 [P]. 
苏和平 ;
唐莹 ;
段炼 .
中国专利 :CN106278214A ,2017-01-04
[9]
低损耗温度稳定型微波介电陶瓷LiGaSn3O8 [P]. 
徐敏育 ;
唐莹 ;
段炼 .
中国专利 :CN106187160A ,2016-12-07
[10]
一种低损耗温度稳定型钼酸盐微波介电陶瓷 [P]. 
方亮 ;
段炼 ;
苏和平 .
中国专利 :CN107129302A ,2017-09-05