Li3GaSiO5作为低损耗温度稳定型微波介电陶瓷的应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610485050.2

申请日：

2016-06-26

公开(公告)号：

CN106116552A

公开(公告)日：

2016-11-16

发明(设计)人：

方亮段炼苏和平

申请人：

申请人地址：

541004 广西壮族自治区桂林市建干路12号

IPC主分类号：

C04B3516

IPC分类号：

C04B35622 C04B35634

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-12-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101691383700 IPC(主分类):C04B 35/16 专利申请号:2016104850502 申请日:20160626
2016-11-16	公开	公开
2021-03-02	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C04B 35/16 申请公布日:20161116

共 50 条

[1]

LiInSiO4作为低损耗温度稳定型微波介电陶瓷的应用 [P].

方亮 ;

段炼 ;

苏和平 .

中国专利 :CN105967667A ,2016-09-28

[2]

LiGaGeO4作为低损耗温度稳定型微波介电陶瓷的应用 [P].

方亮 ;

段炼 ;

苏和平 .

中国专利 :CN106167397A ,2016-11-30

[3]

一种低损耗温度稳定型微波介电陶瓷Li3BSnO5 [P].

叶存军 ;

段炼 ;

李纯纯 .

中国专利 :CN106116564A ,2016-11-16

[4]

一种低损耗温度稳定型微波介电陶瓷Li3FeGeO5 [P].

徐敏育 ;

段炼 ;

李纯纯 .

中国专利 :CN106278220A ,2017-01-04

[5]

一种低损耗温度稳定型微波介电陶瓷Li3BGeO5 [P].

段炼 ;

李纯纯 ;

苏和平 .

中国专利 :CN105859254A ,2016-08-17

[6]

一种低损耗温度稳定型微波介电陶瓷Li3FeSnO5 [P].

叶存军 ;

段炼 ;

李纯纯 .

中国专利 :CN106116566A ,2016-11-16

[7]

一种锗酸盐作为低损耗温度稳定型微波介电陶瓷的应用 [P].

方亮 ;

段炼 ;

苏和平 .

中国专利 :CN106116528A ,2016-11-16

[8]

低损耗温度稳定型微波介电陶瓷LiInSnO4 [P].

段炼 ;

方维双 ;

苏和平 .

中国专利 :CN106145929A ,2016-11-23

[9]

低损耗温度稳定型微波介电陶瓷LiBSi3O8 [P].

唐莹 ;

段炼 ;

苏和平 .

中国专利 :CN106187129A ,2016-12-07

[10]

低损耗温度稳定型微波介电陶瓷LiFeSi3O8 [P].

苏和平 ;

唐莹 ;

段炼 .

中国专利 :CN106278214A ,2017-01-04

← 1 2 3 4 5 →