一种高可靠性功率MOSFET

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202121610968.8

申请日：

2021-07-15

公开(公告)号：

CN215266309U

公开(公告)日：

2021-12-21

发明(设计)人：

朱袁正叶鹏周锦程刘晶晶

申请人：

申请人地址：

214000 江苏省无锡市高浪东路999号B1号楼2层

IPC主分类号：

H01L29423

IPC分类号：

H01L29417 H01L2978

代理机构：

无锡市兴为专利代理事务所(特殊普通合伙) 32517

代理人：

屠志力

法律状态：

授权

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-21	授权	授权

共 50 条

[1]

一种高可靠性功率MOSFET及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 ;

周锦程 ;

刘晶晶 .

中国专利 :CN113540215B ,2021-10-22

[2]

高可靠性屏蔽栅功率器件 [P].

徐真逸 ;

杨飞 ;

吴凯 ;

张广银 ;

朱阳军 .

中国专利 :CN216902953U ,2022-07-05

[3]

高可靠性超结功率半导体结构 [P].

朱袁正 ;

周锦程 ;

李宗清 .

中国专利 :CN212303677U ,2021-01-05

[4]

高可靠性MOSFET器件 [P].

陈远华 ;

居长朝 ;

徐烨钧 .

中国专利 :CN217507342U ,2022-09-27

[5]

高可靠性超结功率器件 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 ;

周锦程 ;

李宗清 .

中国专利 :CN216597593U ,2022-05-24

[6]

高可靠性宽窗口的超结MOSFET结构 [P].

朱袁正 ;

周锦程 ;

李宗清 .

中国专利 :CN213150785U ,2021-05-07

[7]

双芯片高可靠性MOSFET器件 [P].

张开航 ;

马云洋 .

中国专利 :CN212517175U ,2021-02-09

[8]

高可靠性的SiC MOSFET器件 [P].

覃源 ;

高盼盼 .

中国专利 :CN222051772U ,2024-11-22

[9]

高可靠性功率器件 [P].

何洪运 ;

郝艳霞 ;

刘玉龙 ;

沈加勇 .

中国专利 :CN208538826U ,2019-02-22

[10]

高可靠性功率器件 [P].

吴炆皜 ;

何洪运 ;

郝艳霞 .

中国专利 :CN215578511U ,2022-01-18

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