一种沟槽式栅极IGBT结构及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110858143.6

申请日：

2021-07-28

公开(公告)号：

CN113555426A

公开(公告)日：

2021-10-26

发明(设计)人：

王丕龙王新强杨玉珍张永利刘文

申请人：

申请人地址：

266000 山东省青岛市城阳区城阳街道长城路89号10号楼7楼713室

IPC主分类号：

H01L29739

IPC分类号：

H01L21331

代理机构：

武汉聚信汇智知识产权代理有限公司 42258

代理人：

刘丹

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-10-26	公开	公开
2021-11-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/739 申请日:20210728

共 50 条

[1]

一种沟槽式栅极IGBT结构 [P].

王丕龙 ;

王新强 ;

杨玉珍 ;

张永利 ;

刘文 .

中国专利 :CN215731729U ,2022-02-01

[2]

一种沟槽式IGBT栅极的制作方法 [P].

孙小虎 ;

杜龙欢 ;

罗湘 ;

唐云 .

中国专利 :CN105655246A ,2016-06-08

[3]

一种沟槽型IGBT结构及其制作方法 [P].

史志扬 ;

骆健 ;

严毅琳 .

中国专利 :CN118156293A ,2024-06-07

[4]

一种沟槽IGBT器件结构的制作方法 [P].

汤艺 ;

永福 ;

王良元 ;

徐泓 .

中国专利 :CN105938798A ,2016-09-14

[5]

一种沟槽式IGBT结构及其制造方法 [P].

王丕龙 ;

王新强 ;

张永利 ;

杨玉珍 .

中国专利 :CN113437142A ,2021-09-24

[6]

一种沟槽式IGBT结构 [P].

王丕龙 ;

王新强 ;

张永利 ;

杨玉珍 .

中国专利 :CN215869397U ,2022-02-18

[7]

一种沟槽栅IGBT器件结构及其制作方法 [P].

许高潮 ;

薛璐 ;

张海涛 .

中国专利 :CN109461769B ,2024-03-12

[8]

一种沟槽栅IGBT器件结构及其制作方法 [P].

许高潮 ;

薛璐 ;

张海涛 .

中国专利 :CN109461769A ,2019-03-12

[9]

一种IGBT结构及其制作方法 [P].

胡爱斌 ;

朱阳军 ;

卢烁今 ;

王波 ;

陆江 ;

吴振兴 ;

田晓丽 ;

赵佳 .

中国专利 :CN103839994B ,2014-06-04

[10]

一种沟槽RC-IGBT器件结构及其制作方法 [P].

伽亚帕·维拉玛·苏巴斯 ;

永福 .

中国专利 :CN111755502A ,2020-10-09

← 1 2 3 4 5 →