一种IGBT结构及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310087246.2

申请日：

2013-03-18

公开(公告)号：

CN103839994B

公开(公告)日：

2014-06-04

发明(设计)人：

胡爱斌朱阳军卢烁今王波陆江吴振兴田晓丽赵佳

申请人：

申请人地址：

200120 上海市浦东新区金桥路939号宏南投资大厦1513室

IPC主分类号：

H01L29739

IPC分类号：

H01L21331

代理机构：

北京华沛德权律师事务所 11302

代理人：

刘丽君

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-22	授权	授权
2016-01-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101641078644 IPC(主分类):H01L 29/739 专利申请号:2013100872462 申请日:20130318
2014-06-04	公开	公开

共 50 条

[1]

一种IGBT结构及其制作方法 [P].

朱袁正 ;

周锦程 ;

杨卓 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN110061047B ,2024-03-12

[2]

一种IGBT结构及其制作方法 [P].

朱袁正 ;

周锦程 ;

杨卓 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN110061047A ,2019-07-26

[3]

一种沟槽栅电荷存储型IGBT及其制作方法 [P].

张金平 ;

赵倩 ;

罗君轶 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN108321193B ,2018-07-24

[4]

一种RC-IGBT器件及其制作方法 [P].

张金平 ;

杨文韬 ;

单亚东 ;

顾鸿鸣 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

任敏 ;

张波 .

中国专利 :CN103383958A ,2013-11-06

[5]

IGBT器件及其制作方法 [P].

韩健 ;

顾悦吉 ;

黄示 ;

陈琛 .

中国专利 :CN105489644A ,2016-04-13

[6]

一种双向沟槽栅电荷存储型IGBT及其制作方法 [P].

张金平 ;

赵倩 ;

罗君轶 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN108461536A ,2018-08-28

[7]

新型IGBT结构及其制作方法 [P].

刘国友 ;

朱利恒 ;

覃荣震 ;

罗海辉 ;

黄建伟 ;

戴小平 .

中国专利 :CN107425060A ,2017-12-01

[8]

一种沟槽式栅极IGBT结构及其制作方法 [P].

王丕龙 ;

王新强 ;

杨玉珍 ;

张永利 ;

刘文 .

中国专利 :CN113555426A ,2021-10-26

[9]

一种IGBT及其制作方法 [P].

滕渊 ;

朱阳军 ;

卢烁今 ;

田晓丽 .

中国专利 :CN106711206A ,2017-05-24

[10]

一种平面栅IGBT及其制作方法 [P].

张金平 ;

陈文梅 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

任敏 ;

高巍 ;

张波 .

中国专利 :CN105932055A ,2016-09-07

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