氟化物晶体内部缺陷和残余应力的检测装置及其检测方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010962109.9

申请日：

2020-09-14

公开(公告)号：

CN112179917A

公开(公告)日：

2021-01-05

发明(设计)人：

王静雅张博刘荣荣苏良碧

申请人：

申请人地址：

200050 上海市长宁区定西路1295号

IPC主分类号：

G01N2195

IPC分类号：

G01L500

代理机构：

上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261

代理人：

郑优丽;牛彦存

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-01-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 21/95 申请日:20200914
2021-01-05	公开	公开

共 50 条

[1]

一种红外玻璃内部缺陷和残余应力检测装置及检测方法 [P].

聂秋华 ;

徐铁锋 ;

戴世勋 ;

宋宝安 ;

王训四 ;

沈祥 ;

林常规 ;

吴礼刚 ;

张巍 ;

黄国松 .

中国专利 :CN102226771A ,2011-10-26

[2]

一种晶体内部云雾缺陷的自动化检测装置及方法 [P].

段玉霞 ;

赵纪祥 ;

陈小钰 ;

吴亚鹏 ;

孟建桥 .

中国专利 :CN119246538A ,2025-01-03

[3]

一种晶体内部云雾缺陷的自动化检测装置及方法 [P].

段玉霞 ;

赵纪祥 ;

陈小钰 ;

吴亚鹏 ;

孟建桥 .

中国专利 :CN119246538B ,2025-03-14

[4]

氟化物含量的检测方法 [P].

关杰 ;

关宇 ;

江美玲 ;

曹卉 ;

王清 .

中国专利 :CN103558168A ,2014-02-05

[5]

光纤内部缺陷的检测方法和检测装置 [P].

王进 ;

张平 ;

闫大鹏 ;

刘晓旭 ;

龚勋 .

中国专利 :CN115266593B ,2025-08-01

[6]

一种晶体内部体缺陷的检测方法 [P].

段玉霞 ;

陈小钰 ;

赵纪祥 ;

孟建桥 .

中国专利 :CN119198774B ,2025-03-14

[7]

一种晶体内部体缺陷的检测方法 [P].

段玉霞 ;

陈小钰 ;

赵纪祥 ;

孟建桥 .

中国专利 :CN119198774A ,2024-12-27

[8]

盲孔法残余应力检测方法及残余应力检测装置 [P].

王健健 ;

常城 ;

吴海星 ;

徐成 ;

冯峰 ;

张翔宇 ;

张建富 ;

冯平法 .

中国专利 :CN118837010A ,2024-10-25

[9]

氟化物晶体的制造方法 [P].

里永知彦 ;

菊山裕久 ;

福田承生 .

中国专利 :CN1823183A ,2006-08-23

[10]

用于检测单晶叶片的残余应力的检测装置及其检测方法 [P].

任炳琰 ;

王虹 ;

李洪佳 ;

樊志剑 ;

杨锋 ;

黄娅琳 ;

李建 ;

王宗悦 ;

庞蓓蓓 ;

杨钊龙 .

中国专利 :CN118209237A ,2024-06-18

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