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半导体装置和半导体系统
被引:0
申请号
:
CN202210849248.X
申请日
:
2022-07-19
公开(公告)号
:
CN115691597A
公开(公告)日
:
2023-02-03
发明(设计)人
:
渡边源太
松原谦
齐藤朋也
神田明彦
武田晃一
下井贵裕
申请人
:
申请人地址
:
日本东京都
IPC主分类号
:
G11C1116
IPC分类号
:
G11C514
代理机构
:
北京市金杜律师事务所 11256
代理人
:
张宁
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2023-02-03
公开
公开
共 50 条
[1]
半导体装置和半导体系统
[P].
孙裕硕
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孙裕硕
;
金相佑
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金相佑
;
李炳卓
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李炳卓
;
权润周
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权润周
;
赵俊佑
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赵俊佑
.
中国专利
:CN110018712A
,2019-07-16
[2]
半导体装置和半导体系统
[P].
洪在亨
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机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
洪在亨
;
徐范圭
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机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
徐范圭
;
玉成华
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爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
玉成华
;
张俊瑞
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爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
张俊瑞
;
蔡炅敏
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机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
蔡炅敏
.
韩国专利
:CN121214991A
,2025-12-26
[3]
半导体装置和半导体系统
[P].
金晓勤
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爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
金晓勤
;
朴珉秀
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机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
朴珉秀
.
韩国专利
:CN121029647A
,2025-11-28
[4]
半导体装置和半导体系统
[P].
韩愍植
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爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
韩愍植
;
张圣泉
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爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
张圣泉
;
郑镇一
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机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
郑镇一
.
韩国专利
:CN112908375B
,2024-11-12
[5]
半导体装置和半导体系统
[P].
源马和明
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机构:
瑞萨电子株式会社
瑞萨电子株式会社
源马和明
.
日本专利
:CN111474876B
,2024-06-25
[6]
半导体装置和半导体系统
[P].
冲川满
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冲川满
;
樋口安史
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樋口安史
;
松原佑典
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松原佑典
;
今藤修
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今藤修
;
四户孝
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四户孝
.
中国专利
:CN114514615A
,2022-05-17
[7]
半导体装置和半导体系统
[P].
源马和明
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源马和明
.
中国专利
:CN111474876A
,2020-07-31
[8]
半导体装置和半导体系统
[P].
朴日光
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朴日光
.
中国专利
:CN104239253A
,2014-12-24
[9]
半导体装置和半导体系统
[P].
韩愍植
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韩愍植
;
张圣泉
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张圣泉
;
郑镇一
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郑镇一
.
中国专利
:CN112908375A
,2021-06-04
[10]
半导体装置和半导体系统
[P].
朴埈彻
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朴埈彻
;
金范洙
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金范洙
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鱼贤圭
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鱼贤圭
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姜尚协
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姜尚协
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金瑳童
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金瑳童
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卞山镐
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卞山镐
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李进喆
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李进喆
;
崔伦竞
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崔伦竞
.
中国专利
:CN105404410B
,2016-03-16
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