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半导体装置和半导体系统
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202510306348.1
申请日
:
2025-03-14
公开(公告)号
:
CN121214991A
公开(公告)日
:
2025-12-26
发明(设计)人
:
洪在亨
徐范圭
玉成华
张俊瑞
蔡炅敏
申请人
:
爱思开海力士有限公司
申请人地址
:
韩国京畿道
IPC主分类号
:
G11C7/22
IPC分类号
:
G06F1/04
代理机构
:
北京路浩知识产权代理有限公司 11002
代理人
:
张晶;林玉妹
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-12-26
公开
公开
共 50 条
[1]
半导体装置、半导体系统及半导体系统的操作方法
[P].
洪在亨
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
洪在亨
;
裵智慧
论文数:
0
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0
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0
机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
裵智慧
;
安根善
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
安根善
;
安顺成
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0
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0
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0
机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
安顺成
;
玉成华
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0
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0
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0
机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
玉成华
;
崔恩志
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
崔恩志
.
韩国专利
:CN121214990A
,2025-12-26
[2]
半导体装置和半导体系统
[P].
孙裕硕
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孙裕硕
;
金相佑
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金相佑
;
李炳卓
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李炳卓
;
权润周
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0
权润周
;
赵俊佑
论文数:
0
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0
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0
赵俊佑
.
中国专利
:CN110018712A
,2019-07-16
[3]
半导体装置和半导体系统
[P].
韩愍植
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机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
韩愍植
;
张圣泉
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机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
张圣泉
;
郑镇一
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机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
郑镇一
.
韩国专利
:CN112908375B
,2024-11-12
[4]
半导体装置和半导体系统
[P].
韩愍植
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韩愍植
;
张圣泉
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张圣泉
;
郑镇一
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郑镇一
.
中国专利
:CN112908375A
,2021-06-04
[5]
半导体装置和半导体系统
[P].
渡边源太
论文数:
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渡边源太
;
松原谦
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松原谦
;
齐藤朋也
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齐藤朋也
;
神田明彦
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神田明彦
;
武田晃一
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武田晃一
;
下井贵裕
论文数:
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0
下井贵裕
.
中国专利
:CN115691597A
,2023-02-03
[6]
半导体装置和具有半导体装置的半导体系统
[P].
荒木雅宏
论文数:
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引用数:
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机构:
瑞萨电子株式会社
瑞萨电子株式会社
荒木雅宏
.
日本专利
:CN112003601B
,2025-10-03
[7]
半导体装置和具有半导体装置的半导体系统
[P].
荒木雅宏
论文数:
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0
荒木雅宏
.
中国专利
:CN112003601A
,2020-11-27
[8]
半导体器件和半导体系统
[P].
郭鲁侠
论文数:
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h-index:
0
郭鲁侠
.
中国专利
:CN113674781A
,2021-11-19
[9]
半导体装置和半导体系统
[P].
金晓勤
论文数:
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机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
金晓勤
;
朴珉秀
论文数:
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机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
朴珉秀
.
韩国专利
:CN121029647A
,2025-11-28
[10]
半导体装置和半导体系统
[P].
源马和明
论文数:
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0
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0
机构:
瑞萨电子株式会社
瑞萨电子株式会社
源马和明
.
日本专利
:CN111474876B
,2024-06-25
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