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半导体装置和具有半导体装置的半导体系统
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202010367884.X
申请日
:
2020-04-30
公开(公告)号
:
CN112003601B
公开(公告)日
:
2025-10-03
发明(设计)人
:
荒木雅宏
申请人
:
瑞萨电子株式会社
申请人地址
:
日本东京都
IPC主分类号
:
H03K17/96
IPC分类号
:
代理机构
:
北京市金杜律师事务所 11256
代理人
:
李辉
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-10-03
授权
授权
共 50 条
[1]
半导体装置和具有半导体装置的半导体系统
[P].
荒木雅宏
论文数:
0
引用数:
0
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0
荒木雅宏
.
中国专利
:CN112003601A
,2020-11-27
[2]
半导体装置和半导体系统
[P].
洪在亨
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
洪在亨
;
徐范圭
论文数:
0
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0
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0
机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
徐范圭
;
玉成华
论文数:
0
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0
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0
机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
玉成华
;
张俊瑞
论文数:
0
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0
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0
机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
张俊瑞
;
蔡炅敏
论文数:
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0
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0
机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
蔡炅敏
.
韩国专利
:CN121214991A
,2025-12-26
[3]
电极装置、半导体装置和半导体系统
[P].
满上拓弥
论文数:
0
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0
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0
满上拓弥
;
荒木雅宏
论文数:
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0
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0
荒木雅宏
.
中国专利
:CN111865287A
,2020-10-30
[4]
电极装置、半导体装置和半导体系统
[P].
满上拓弥
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0
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机构:
瑞萨电子株式会社
瑞萨电子株式会社
满上拓弥
;
荒木雅宏
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机构:
瑞萨电子株式会社
瑞萨电子株式会社
荒木雅宏
.
日本专利
:CN111865287B
,2025-08-22
[5]
半导体装置和包括该半导体装置的半导体系统
[P].
权正贤
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0
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机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
权正贤
;
李旼燮
论文数:
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机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
李旼燮
.
韩国专利
:CN119380766A
,2025-01-28
[6]
半导体装置及具有半导体装置的半导体系统
[P].
杉本雅裕
论文数:
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杉本雅裕
;
樋口安史
论文数:
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0
樋口安史
.
中国专利
:CN114747021A
,2022-07-12
[7]
半导体装置、半导体系统和程序
[P].
恩田一生
论文数:
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恩田一生
;
村谷政充
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村谷政充
;
八木浩司
论文数:
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0
八木浩司
.
中国专利
:CN111143248A
,2020-05-12
[8]
半导体装置和半导体系统
[P].
孙裕硕
论文数:
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0
孙裕硕
;
金相佑
论文数:
0
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金相佑
;
李炳卓
论文数:
0
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李炳卓
;
权润周
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0
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0
权润周
;
赵俊佑
论文数:
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0
赵俊佑
.
中国专利
:CN110018712A
,2019-07-16
[9]
半导体装置和半导体系统
[P].
金晓勤
论文数:
0
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机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
金晓勤
;
朴珉秀
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机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
朴珉秀
.
韩国专利
:CN121029647A
,2025-11-28
[10]
半导体装置和半导体系统
[P].
韩愍植
论文数:
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机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
韩愍植
;
张圣泉
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机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
张圣泉
;
郑镇一
论文数:
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机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
郑镇一
.
韩国专利
:CN112908375B
,2024-11-12
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